技术编号:6831470
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的半导体器件制造方法,特别涉及在动态随机存取存储器(以下简称DRAM)的源区隔离层腐蚀后附加软腐蚀以除去等离子体损伤和改善刷新时间的方法。背景技术 随着集成电路的集成度越来越高,集成电路制造工艺水平的不断提高,集成电路的构图线宽变得越来越小,硅(Si)衬底表面的缺陷对宽度极小的构图线的连续性影响也越来越大,因而对半导体器件的电性能的影响也越来越明显。特别是在硅衬底表面由等离子体损伤所造成的晶格缺陷对DRAM产品的电性能损坏也越来越大,甚至会导致整...
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