专利名称：半导体器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及的半导体器件制造方法，特别涉及在动态随机存取存储器(以下简称DRAM)的源区隔离层腐蚀后附加软腐蚀以除去等离子体损伤和改善刷新时间的方法。
背景技术：
随着集成电路的集成度越来越高，集成电路制造工艺水平的不断提高，集成电路的构图线宽变得越来越小，硅(Si)衬底表面的缺陷对宽度极小的构图线的连续性影响也越来越大，因而对半导体器件的电性能的影响也越来越明显。特别是在硅衬底表面由等离子体损伤所造成的晶格缺陷对DRAM产品的电性能损坏也越来越大，甚至会导致整个DRAM产品或整个集成电路失效。
正如中国专利局1999年5月19日公开的，公开号为CN-1216862A，发明名称为“半导体存储器及其制造方法”中所述的，在DRAM半导体存储器中，在硅衬底上形成有多个有源区(AA)，在相邻的有源区之间设置绝缘隔离层(Insulation Spacer)，使相邻的源区电隔离。
相邻源区之间设置的电绝缘隔离层通常在Lam Exelan机台上进行蚀刻，由于所用的Exelan双频率等离子体源的特性，导致等离子体对Si衬底表面的损伤，导致具有源区绝缘隔离层的DARM产品的合格率降低。
发明内容
为了克服上述的现有技术中存在的缺点，本发明的目的是，提供一种半导体器件的制造方法，在有源区蚀刻后，加一附加的软腐蚀，通过腐蚀剂与Si衬底之间的化学反应，消除Si衬底表面上由等离子体损伤造成的晶格缺陷。从而保证构成电性能合格的DRAM产品，改善DRAM产品的刷新时间，提高DRAM产品发生产合格率。
按本发明的半导体器件的制造方法，包括以下步骤步骤1在Si衬底上由扩散炉来生长焊盘氧化层，其厚度是110；步骤2然后再由扩散炉来生长氮化硅(Si3N4)(1000～1300)；步骤3在要形成隔离层的绝缘膜上加光刻胶(PR)，用具有隔离层图形的掩模进行曝光和显影；步骤4有源区蚀刻(RIE等离子体腐蚀)；步骤5附加软腐蚀，软腐蚀是一种物理和化学腐蚀，在微波等离子体(频率为2.45GHz)下，用CF4/O2的混合气体作为腐蚀剂，去除由等离子体损伤造成的晶格缺陷，CF4/O2混合气体的流速比是CF4∶O2＝1∶(3～5)，优选的CF4/O2混合气体的流速比是CF4∶O2＝1∶4；步骤6剥离光刻胶(PR)；步骤7用去离子水清洗，除去光刻胶。
形成按照本发明方法形成的相邻源区之间的电绝缘隔离层。
附图是按照本发明的半导体器件的相邻源区之间的电绝缘隔离层的形成方法的工艺流程图。
具体实施例方式
按照本发明的半导体器件的制造方法，包括以下步骤步骤1在Si衬底上由扩散炉来生长焊盘氧化层(Pad-ox)，其厚度为110。
步骤2然后再由扩散炉来生长氮化硅(Si3N4)(其厚度为1000～1300)。
步骤3在要形成隔离层的绝缘膜上加光刻胶(PR)，用具有隔离层图形的掩模进行曝光和显影步骤4有源区蚀刻(RIE等离子体腐蚀)；步骤5附加软腐蚀，软腐蚀是一种物理和化学腐蚀，在微波等离子体(频率为2.45GHz)下，用CF4/O2的混合气体作为腐蚀剂，去除由等离子体损伤造成的晶格缺陷，CF4/O2混合气体的流速比是CF4∶O2＝1∶(3～5)，优选的CF4/O2混合气体的流速比是CF4∶O2＝1∶4。
步骤6剥离光刻胶(PR)；步骤7用去离子水清洗，除去光刻胶。
形成按照本发明方法形成的相邻源区之间的电绝缘隔离层。
用本发明方法，在形成源区隔离层后，进行附加的软腐蚀，通过作为腐蚀剂的CF4/O2的混合气体与Si衬底表面的化学反应，消除了Si衬底表面上由等离子体损伤造成的晶格缺陷，从而保证构成电性能合格的DRAM产品，改善DRAM产品的刷新时间，提高DRAM产品发生产合格率。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求
1.半导体器件的制造方法，包括以下步骤步骤1在Si衬底上由扩散炉来生长焊盘氧化层(Pad-ox)，步骤2然后再由扩散炉来生长氮化硅(Si3N4)，步骤3在要形成隔离层的绝缘膜上加光刻胶(PR)，用具有隔离层图形的掩模进行曝光和显影，步骤4有源区蚀刻(RIE等离子体腐蚀)，步骤5附加软腐蚀，软腐蚀是一种物理和化学腐蚀，在微波等离子体下，用CF4/O2的混合气体作为腐蚀剂，去除由等离子体损伤造成的晶格缺陷。步骤6剥离光刻胶(PR)；步骤7用去离子水清洗，除去光刻胶。形成按照本发明方法形成的相邻源区之间的电绝缘隔离层。
2.按照权利要求1的方法，其特征是，微波频率为2.45GHz。
3.按照权利要求1的方法，其特征是，步骤5中，CF4/O2混合气体的流速比是CF4∶O2＝1∶(3～5)。
4.按照权利要求3的方法，其特征是，步骤5中，CF4/O2混合气体的流速比是CF4∶O2＝1∶4。
5.按照权利要求1的方法，其特征是，步骤1中，焊盘氧化层的厚度为110。
6.按照权利要求1的方法，其特征是，步骤2中，氮化硅(Si3N4)的厚度为1000～1300。
全文摘要
本发明提出一种半导体器件的制造方法，特别是DRAM的制造方法，在源掐区绝缘隔离层腐蚀后加了附加的软腐蚀，在微波频率为2.45GHz的微波状态下用CF
文档编号H01L21/02GK1725465SQ20041005307
公开日2006年1月25日 申请日期2004年7月22日 优先权日2004年7月22日
发明者吴长明, 蒋晓钧, 黄光瑜, 徐立 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司