基板处理设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明构思的示例性实施例涉及基板处理设备，尤其涉及用于清洁基板的基板处理设备。
【背景技术】
[0002]通常，通过在基板(例如硅片)上执行各种工艺(例如，光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺和沉积工艺)来制造半导体器件。
[0003]在各个工艺中，可能产生各种外来杂质(例如，粒子、有机污染物和金属杂质)。外来杂质可导致处理基板的后续工艺中的工艺缺陷，从而导致半导体器件的性能退化和产量减少，因此，在制造半导体器件的工艺中，有必要执行清洁工艺来去除这些外来杂质。
[0004]清洁工艺可包括使用化学制品去除基板表面的污染物的化学处理工艺；使用纯水或去离子水去除残留在基板表面的化学制品的湿法净化工艺；以及在基板表面上供应脱水流体以去除残留的纯水的干燥工艺。
[0005]以往，干燥工艺以这种方式来执行:在残留有纯水的基板上供应加热的氮气。然而，图案的线条宽度的减小或图案的纵横比的增大，导致要去除图案之间狭窄空间的纯水是很困难的。为克服该问题，在近来的干燥工艺中，基板上残留的纯水被与纯水相比较具有高挥发性和低表面张力的液体有机溶剂(例如异丙醇)所代替，接着供应加热的氮气以干燥基板。
[0006]然而，因为很难将非极性有机溶剂与极性水混合，所以，为了用液体有机溶剂来替代纯水，必须长时间将大量的液体有机溶剂供应到基板上。
[0007]此外，虽然有机溶剂被用于干燥工艺，但是对于亚30纳米半导体器件，难以防止图案崩坏的问题，因此超临界干燥工艺作为传统干燥工艺的替代选择被考虑。
[0008]图1为示意性示出构造为执行超临界工艺的基板处理设备10的视图。基板处理设备10可包括腔室12、支撑单元14和密封构件16。由于使用超临界流体来执行超临界干燥工艺，腔室12应被维持为具有高内压。为此，腔室12被设置为具有气密结构，并且，额外设置密封构件16以防止在腔室12和外部之间形成泄漏通道。
[0009]然而，在超临界干燥工艺的步骤(例如去除有机溶剂)中，有机溶剂可能进入设置在腔室12中的密封构件16中。进入的有机溶剂可作为在密封构件16附近积累的粒子的来源。
[0010]在超临界干燥工艺之后，腔室12可被打开以将基板S卸载到外部。此时，由于腔室12的内部空间和外部空间之间的压差，在密封构件16附近积累的粒子可能移动到腔室12的内部空间中。一些这样的粒子可能沉积在基板S的表面上。沉积在基板S上的粒子可导致后续工艺的失败。
【发明内容】
[0011]本发明构思的示例性实施例提供了一种基板处理设备，该基板处理设备使基板干燥工艺能够被高效率地执行。
[0012]本发明构思的示例性实施例提供了一种基板处理设备，该基板处理设备能够防止可能在基板干燥工艺中产生的粒子流到基板上，从而提高基板干燥工艺的工艺效率。
[0013]根据本发明构思的示例性实施例，提供的是基板处理设备。
[0014]根据本发明构思的示例性实施例，基板处理设备可包括壳体、支撑单元、流体供应单元、密封构件以及隔离板，所述壳体包括上部主体和下部主体，所述上部主体和所述下部主体彼此耦合以限定处理空间，所述下部主体设置在所述上部主体的下方；所述支撑单元耦合到所述上部主体，所述支撑单元支撑布置在所述处理空间中的基板的边缘；所述流体供应单元构造为将流体供应到所述处理空间；所述密封构件设置在所述上部主体和所述下部主体之间，且所述密封构件与所述上部主体和所述下部主体接触，所述密封构件将所述处理空间与外部空间密封隔离；以及所述隔离板安装在所述密封构件和所述支撑单元之间。所述隔离板可设置为面向所述密封构件。
[0015]在一些实施例中，所述隔离板可设置为具有环形形状。
[0016]在一些实施例中，所述隔离板可安装到所述上部主体，且所述隔离板具有向下的突出结构，所述突出结构的底部位于所述下部主体的内壁的顶表面的下方。
[0017]在一些实施例中，所述支撑单元可包括竖直部和水平部，所述竖直部从所述上部主体向下延伸；并且所述水平部从所述竖直部的端部朝向所述壳体的内部区域向内延伸，且所述水平部支撑所述基板的底表面。
[0018]在一些实施例中，所述流体供应单元可包括上部流体供应部，所述上部流体供应部构造为将所述流体直接供应到由所述支撑单元支撑的所述基板的顶表面。
[0019]在一些实施例中，通过所述流体供应单元供应的所述流体可为超临界流体。
[0020]根据本发明构思的示例性实施例，基板处理设备可包括壳体、支撑单元、流体供应单元以及密封构件，所述壳体包括下部主体和上部主体，所述下部主体限定处理空间，所述处理空间的顶部为开放的，且所述上部主体耦合到所述下部主体以遮盖所述处理空间；所述支撑单元耦合到所述上部主体，所述支撑单元支撑布置在所述处理空间中的基板的边缘；所述流体供应单元构造为将流体供应到所述处理空间；以及所述密封构件设置在所述上部主体和所述下部主体之间，且所述密封构件与所述上部主体和所述下部主体接触，所述密封构件将所述处理空间与外部空间密封隔离。所述上部主体可包括突出部，所述突出部向所述处理空间突出，且所述突出部面向布置在所述支撑单元上的所述基板，以及所述突出部可向下延伸以具有这样的底部:所述底部位于所述下部主体的内壁的顶表面的下方。
[0021]在一些实施例中，所述上部主体可设置为包括多个凹陷区域，所述凹陷区域沿着所述突出部的边缘形成，且所述支撑单元可安装到所述凹陷区域。
[0022]在一些实施例中，所述支撑单元可包括竖直部和水平部，所述竖直部从所述上部主体向下延伸；并且所述水平部从所述竖直部的端部朝向所述壳体的内部区域向内延伸，且所述水平部支撑所述基板的底表面。
[0023]在一些实施例中，所述流体供应单元可包括上部流体供应部，所述上部流体供应部构造为将所述流体直接供应到由所述支撑单元支撑的所述基板的顶表面。
[0024]在一些实施例中，通过所述流体供应单元供应的所述流体可为超临界流体。
[0025]根据本发明构思的示例性实施例，基板处理设备可包括壳体、支撑单元、流体供应单元以及密封构件，所述壳体包括上部主体和下部主体，所述上部主体限定处理空间，所述处理空间的底部为开放的，且所述下部主体耦合到所述上部主体的底表面；所述支撑单元耦合到所述下部主体，所述支撑单元支撑布置在所述处理空间中的基板的边缘；所述流体供应单元构造为将流体供应到所述处理空间；以及所述密封构件设置在所述上部主体和所述下部主体之间，且所述密封构件与所述上部主体和所述下部主体接触，所述密封构件将所述处理空间与外部空间密封隔离。所述密封构件可位于所述支撑单元的下方。
[0026]在一些实施例中，所述支撑单元可包括竖直部和水平部，所述竖直部从所述下部主体向上延伸；并且所述水平部连接到所述竖直部以支撑所述基板的底表面。
[0027]在一些实施例中，所述基板处理设备还可包括:排出构件，所述排出构件设置在所述支撑单元的下方，以面向布置在所述支撑单元上的基板。
[0028]在一些实施例中，通过所述流体供应单元供应的所述流体可为超临界流体。
【附图说明】
[0029]从以下结合附图的简明描述中，本发明的示例性实施例将被更清楚地理解。附图表示如本文所描述的非限制的示例性实施例。
[0030]图1为示意性示出传统的用于执行超临界工艺的基板处理设备的视图；
[0031]图2为示出根据本发明构思的示例性实施例的基板处理系统的主视图；
[0032]图3为示出图2的第一处理腔室的示例的剖视图；
[0033]图4为示出图2的第二工艺腔室的示例的剖视图；
[0034]图5为示出图2的第二工艺腔室的另一示例的剖视图；
[0035]图6为示出图2的第二工艺腔室的又一示例的剖视图；
[0036]图7为示意性示出可能在图4的第二工艺腔室的密封构件附近发生的粒子运动的一个方面的视图；
[0037]图8为示意性示出可能在图5的第二工艺腔室的密封构件附近发生的粒子运动的一个方面的视图；
[0038]图9为示意性示出可能在图6的第二工艺腔室的密封构件附近发生的粒子运动的一个方面的视图。
[0039]应注意的是这些附图旨在阐明在特定示例性实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特征，以及补充以下提供的书面描述。然而，这些附图不是等比例的，且可能不能精确反映任意给定实施例的精确结构或性能特征，因此不应被理解为限定或限制由示例性实施例包含的数值或性能的范围。例如，为清楚起见，分子、层、区域和/或结构组件的相对厚度和位置可减少或放大。在不同附图中相似或相同的参考编号的使用旨在表明相似或相同的组件或特征的存在。
【具体实施方式】
[0040]现在将参照在其中示出示例性实施例的附图更充分地描述本发明构思的示例性实施例。然而，本发明构思的示例性实施例可以不同形式体现且不应解释为限制本文所陈述的实施例；相反，提供这些实施例以便使本公开是彻底的且完整的，并向本领域普通技术人员充分传达示例性实施例的构思。在附图中，为清楚起见，层和区域的厚度被放大。在附图中相似