板S的底表面上。下部流体供应部4520可连接到下部主体4120。例如，下部流体供应部4520可连接到下部主体4120的一部分，该部分面向基板S底表面的中央区域。
[0100]如果超临界流体通过上部流体供应部4510和下部流体供应部4520被供应到基板S的中央区域，超临界流体可从基板S的中央区域朝向边缘区域扩散，这样，基板S基本上整个区域可被超临界流体均匀地覆盖。
[0101]供应管线4550可连接到上部流体供应部4510和下部流体供应部4520。供应管线4550可用于将从外部供应的超临界流体输送到上部流体供应部4510和下部流体供应部4520ο
[0102]阀门4570可安装在供应管线4550上。阀门4570可用于控制将被供应到上部流体供应部4510和下部流体供应部4520的超临界流体的流量。在某些实施例中，还可设置控制器(未示出)以控制阀门4570的开关操作，这能够更精确调整供应在壳体4100中的超临界流体的流量或流速。
[0103]流体供应单元4500可以这样的方式被控制:超临界流体首先通过下部流体供应部4520被供应到壳体4100中，然后超临界流体可通过上部流体供应部4510被供应到壳体4100中。在超临界干燥工艺的初始阶段，第二工艺腔室4000的内部空间可具有低于临界压力的压力。在该情况下，供应到第二工艺腔室4000中的超临界流体可被液化。液化的流体可在重力作用下落到基板S，从而造成基板S的损坏。
[0104]为了避免该技术问题，超临界流体可首先通过下部流体供应部4520被供应。例如，超临界流体可通过下部流体供应部4520被供应到第二工艺腔室4000中，直到第二工艺腔室4000的内压达到临界压力。如果第二工艺腔室4000的内压变得高于临界压力，则可开始通过上部流体供应部4510供应超临界流体。由于超临界流体首先通过下部流体供应部4520，而不是上部流体供应部4510被供应，因此能够防止超临界流体被液化并落到基板S上。
[0105]阻挡构件4600可构造为防止通过流体供应单元4500供应的超临界流体直接喷射基板S的底表面。在一些实施例中，阻挡构件4600可包括挡板4610和支架4620。
[0106]挡板4610可位于壳体4100的处理空间中。挡板4610可布置在支撑单元4300和下部流体供应部4520之间。挡板4610可以圆板的形式设置。挡板4610可具有与基板S的半径相似的半径，或具有大于基板S半径的半径。挡板4610可位于布置在支撑单元4300上的基板S的底表面的下方，这能够防止通过下部流体供应部4520供应的超临界流体直接喷射基板S的底表面。在挡板4610的半径与基板S的半径相似、或挡板4610的半径大于基板S的半径的情况下，能够有效地防止超临界流体直接喷射到基板S上。
[0107]在某些实施例中，挡板4610可设置为具有比基板S的半径小的半径。即使在这种情况下，也能够防止超临界流体直接喷射到基板S上。而且，在这种情况下，能够抑制超临界流体的速度的下降，从而使超临界流体能够容易地到达基板S。换言之，在挡板4610设置为具有比基板S的半径小的半径的情况下，可有效率地执行基板S上的超临界干燥工艺。
[0108]支架4620可支撑挡板4610。支架4620可设置为支撑挡板4610的背面。支架4620可垂直地安装在壳体4100的底壁上。支架4620和挡板4610可彼此连接而没有其它连接构件，例如，支架4620可在重力作用下放置挡板4610。
[0109]在某些实施例中，支架4620和挡板4610可连接到连接构件(例如，螺母和螺栓)。可替代地，支架4620和挡板4610可形成单一体。
[0110]排出构件4700可构造为从第二工艺腔室4000排出临界流体。排出构件4700可连接到排出管线4750以将临界流体排放到外部。这里，可在在排出构件4700或排出管线4750上安装阀门(未示出)，以控制超临界流体的排放量或排放速度。在一些实施例中，通过排出管线4750排出的超临界流体可被释放到大气中或被供应到超临界流体回收系统(未示出)。排出构件4700可耦合到下部主体4120。
[0111]在超临界干燥工艺的最终状态，超临界流体可从第二工艺腔室4000排出，由此，第二工艺腔室4000的内压可降低到流体的临界压力以下，从而流体可被液化。液化的临界流体可在重力的作用下通过下部主体4120的排出构件4700排出。
[0112]密封构件4800可密封地封闭处理空间。密封构件4800可设置在上部主体4110和下部主体4120之间以与上部主体4110和下部主体4120接触。在一些实施例中，密封构件4800可设置为具有环形形状，例如，密封构件4800可为O形环。
[0113]隔离板4900可构造为防止基板S被粒子污染。隔离板4900可耦合到上部主体4100。隔离板4900可设置为具有环形形状。隔离板4900可设置在密封构件4800和支撑单元4300之间。隔离板4900可设置为面向密封构件4800。隔离板4900可从上部主体4110以向下的方向延伸。隔离板4900可具有向下的突出结构，该突出结构的底部位于下部主体4120的内壁的顶表面4121的较低水平。
[0114]图7为示意性示出可能在图4的第二工艺腔室的密封构件附近发生的粒子运动的一个方面的视图。在图7中，箭头示意性表示第二工艺腔室中的粒子的轨迹。如图7所示，粒子可在基板处理工艺期间产生。上述粒子可由异丙醇(IPA)所致。粒子可沉积在密封构件4800上。当壳体4100的内压在临界干燥工艺后下降时，由于壳体4100的内部空间和外部空间之间的压差，粒子可能移动到基板S上。
[0115]然而，根据本发明构思的示例性实施例，由于在密封构件4800和支撑单元4300之间设置有隔离板4900，因此，能够减少在超临界干燥工艺后向基板S移动的粒子数量，从而提高基板清洁工艺的效率。
[0116]图5为示出图2的第二工艺腔室的另一示例的剖视图。
[0117]参照图5，第二工艺腔室5000可包括壳体5100、升降单元5200、支撑单元5300、加热器5400、流体供应单元5500、阻挡构件5600、排出构件5700和密封构件5800。
[0118]在图5示出的示例性实施例中，第二工艺腔室5000的升降单元5200、支撑单元5300、加热器5400、流体供应单元5500、阻挡构件5600、排出气构件5700和密封构件5800可被构造为，具有与参照图4所描述的第二工艺腔室4000的升降单元4200、支撑单元4300、加热器4400、流体供应单元4500、阻挡构件4600、排出构件4700和密封构件4800基本相同的特征。
[0119]壳体5100可提供处理空间，在该处理空间中将执行超临界干燥工艺。壳体5100可由能够经受高于临界压力的材料构成。
[0120]壳体5100可包括上部主体5110和下部主体5120。下部主体5120可构造为提供其顶部是打开的空间。上部主体5110可耦合到下部主体5120的上部部分。上部主体5110可设置为覆盖下部主体5120。由上部主体5110和下部主体5120围绕的空间可用作基板处理工艺的处理空间。
[0121]上部主体5110可以固定方式安装。下部主体5120可构造为在竖直方向上是可移动的。如果下部主体5120在向下的方向上移动而与上部主体5110空间分离，则在第二工艺腔室5000中提供的处理空间可被打开。基板S可插入到第二工艺腔室5000的打开的处理空间中，或可将基板S从第二工艺腔室5000的打开的处理空间卸载。当完成第一工艺腔室3000中的有机溶剂工艺时，基板S被运入到第二工艺腔室5000中，这样，有机溶剂可能保留在待运入到第二工艺腔室5000的基板S上。如果下部主体5120以向上的方向移动而与上部主体5110接触，则第二工艺腔室5000中的处理空间可被密封关闭。超临界干燥工艺可在关闭的处理空间中执行。在某些实施例中，壳体5100可以这种方式构造:下部主体5120是固定的且上部主体5110是竖直可移动的。
[0122]上部主体5110可设置为包括突出部5130和凹陷区域5150。突出部5130可具有向下的突出结构。突出部5130可设置为面向放置在支撑单元5300上的基板S。突出部5130可延伸为具有这样的底部:该底部位于比下部主体5120的内壁的顶表面5121的水平更低的水平。突出部5130可防止粒子移动到基板S上。
[0123]凹陷区域5150可沿着突出部5130的边缘形成。在某些实施例中，上部主体5110可设置为包括多个凹陷区域5150。支撑单元5300可设置在凹陷区域5150中。密封构件5800可设置为邻近凹陷区域5150。
[0124]图8为示意性示出可能在图5的第二工艺腔室的密封构件附近发生的粒子运动的一个方面的视图。在图8中，箭头示意性表示在第二工艺腔室中的粒子的轨迹。如图8所示，粒子可在基板处理工艺期间产生。粒子可沉积在密封构件5800上。当壳体5100的内压在超临界干燥工艺后下降时，由于壳体5100的内部空间和外部空间之间的压差，粒子可能移动到基板S上。
[0125]然而，根据本发明构思的示例性实施例，由于上部主体5110包括突出部5