技术编号:6831495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种CMOS器件上的电容及其制造方法,尤其是一种CMOS器件上的MIM(金属—绝缘体—金属)电容及其制造方法。背景技术 电容、电阻等被动元件(Passive circuit element)被广泛应用于集成电路制作技术中,这些器件通常采用标准的集成电路工艺,利用掺杂单晶硅、掺杂多晶硅以及氧化膜或氮氧化膜等制成,比如电容PIP(Poly-Insulator-Poly,多晶硅-介质膜-多晶硅)电容。由于这些器件比较接近硅衬底,器件与衬底间的寄生电容使...
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