技术编号:6831509
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及一种以新的调适模式来改良反应室性能的方法。背景技术 在集成电路(Intergrated Circuits,IC)的工艺中,常常需要在晶圆上做出极微细尺寸的图案(Pattern)。而这些微细图案最主要的形成方式,是使用刻蚀(Etching)技术,将光刻(Lithography)技术所产生的光刻胶图案,无论是线、面或孔洞,忠实无误地转印到光刻胶底下的材料上,以形成整个集成电路所应有的复杂架构。因此,刻蚀技术与光刻技术合称为图案转移(Pa...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。