专利名称：反应室性能的改良方法
技术领域：
本发明涉及一种反应室性能的改良方法，特别涉及一种以新的调适模式来改良反应室性能的方法。
背景技术：
在集成电路(Intergrated Circuits，IC)的工艺中，常常需要在晶圆上做出极微细尺寸的图案(Pattern)。而这些微细图案最主要的形成方式，是使用刻蚀(Etching)技术，将光刻(Lithography)技术所产生的光刻胶图案，无论是线、面或孔洞，忠实无误地转印到光刻胶底下的材料上，以形成整个集成电路所应有的复杂架构。因此，刻蚀技术与光刻技术合称为图案转移(Pattern Transfer)技术，在半导体工艺中占有极为重要的地位。
广义而言，所谓的刻蚀技术，包含了所有将材料整面均匀移除，或是有图案的选择性部分去除的技术，而其种类可大略分为湿法刻蚀(Wet Etching)与干法刻蚀(Dry Etching)两种方式。而半导体的刻蚀工艺中，氮化硅在半导体工艺上的作用，主要是用在两个地方(1)作为场氧化层(Field Oxide)在进行氧化成长时的掩膜。(2)半导体元件完成主要流程后的保护层之用。
而进行氮化硅刻蚀工艺时，通常遭受不稳定的刻蚀速率(Etch Rate)和微粒(Particle)污染的影响，这是因为调适模式(Seasoning Mode)的工艺配方(Recipe)的组成部分不尽完善。请同时参阅图1，现有技术中包括下列步骤首先如步骤S2所示，先将至少一个裸晶圆置于一个反应室中；然后如步骤S4所示，加入四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、氧气(O2)等气体使其充满此反应室中。但是现有技术常会造成不稳定的刻蚀速率、微粒污染以及工艺中所产生松散的残余物容易从反应室壁上松动滑落，而产生首片晶圆(First Wafer)效应。
因此，本发明针对上述的问题，提出一种反应室性能的改良方法。
发明内容
为达到上述目的，本发明提供一种反应室性能的改良方法，它先将至少一个具有感光材料的晶圆置于一个反应室中；再加入四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、氧气(O2)等气体，并充满此反应室中；最后在此反应室中加入氟甲烷(CH3F)气体。
采用本方法后，可在反应室壁上产生可保持反应室内的工艺状态的不容易剥落的紧密高分子聚合物，进而达到改善微粒污染的问题、消除首片晶圆(First Wafer)效应，以及达到使刻蚀速率较为稳定的功效。
图1为现有的实施方法流程图。
图2为本发明的实施方法流程图。
具体实施例方式
现有技术在半导体的氮化硅刻蚀工艺时，因为调适模式的工艺配方的组成部分不尽完善，容易产生不稳定的刻蚀速率和微粒污染。使得整体的工艺成品率降低，提高生产成本。
而本发明是一种反应室性能的改良方法，它改良调适模式的工艺配方的组成部分，首先请参阅图2示，本发明包括下列步骤首先如步骤S6所示，先将至少一个具有感光材料的晶圆置于一个反应室中，其中感光材料可以是光刻胶(PR)；接下来如步骤S8所示，使四氟化碳(CF1)、三氟甲烷(CHF3)、氧气(O2)等气体充满此反应室；最后，在此反应室中再加入氟甲烷(CH3F)气体，则可在后续的氮化硅刻蚀工艺中，让反应室壁上产生不容易松动落下的紧密聚合物，而能够减少微粒数量，以保持反应室内良好的工艺状态；且改善微粒污染的问题、消除首片晶圆(First Wafer)效应、以及可使刻蚀速率较为稳定。
这种工艺的加入工艺配方是属于将反应室充满高分子聚合物模式的最后步骤，所以本发明增加一个高分子聚合气体的调适(Seasoning)工艺配方的步骤，可使首片晶圆与其他晶圆有相同的工艺效果。同时，利用具有感光材料的晶圆取代裸晶圆，可产生更多高分子聚合物。
综上所述，本发明的一种反应室性能的改良方法，是利用在反应室的调适模式(SeasoningMode)的工艺配方(Recipe)的组成部分中的原先的气体中再加入新的气体，并将裸晶圆改良为具有感光材料的晶圆，可在反应室壁上产生可保持反应室内的工艺状态的不容易剥落的紧密高分子聚合物，进而达到改善微粒污染的问题、消除首片晶圆(First Wafer)效应，以及达到使刻蚀速率较为稳定的功效。
以上所述的实施例仅为了说明本发明的技术思想及特点，其目的在使本领域的普通技术人员能够了解本发明的内容并据以实施，本专利的范围并不仅局限于上述具体实施例，即凡依本发明所揭示的精神所作的同等变化或修饰，仍涵盖在本发明的保护范围内。
权利要求
1.一种反应室性能的改良方法，它应用于半导体刻蚀工艺中，包括下列步骤先将至少一个具有感光材料的晶圆置于一个反应室中；使四氟化碳、三氟甲烷、氧气气体充满该反应室中；以及在该反应室中再加入氟甲烷气体。
2.根据权利要求1所述的反应室性能的改良方法，其特征在于该感光材料为光刻胶。
全文摘要
本发明提供了一种反应室性能的改良方法，它是利用在反应室的调适模式(Seasoning Mode)的工艺配方(Recipe)的组成部分中的原先的气体中再加入新的气体，并将裸晶圆改良为具有感光材料的晶圆，在反应室壁上产生不容易松动落下的紧密高分子聚合物，可保持反应室内的工艺状态，进而达到改善微粒污染的问题，消除首片晶圆(First Wafer)效应对产品的影响，以及达到使刻蚀速率较为稳定的功效。
文档编号H01L21/465GK1743504SQ20041005422
公开日2006年3月8日 申请日期2004年9月2日 优先权日2004年9月2日
发明者宋煜昕, 徐昕, 吕明政 申请人:上海宏力半导体制造有限公司