技术编号:6832001
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造,更具体地涉及制造一种金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件的方法,其中MOSFET器件具有应变的Si沟道区,并且Si沟道区邻近未应变的源/漏结。本发明的方法提供沟道载流子迁移率非常高的MOSFET器件,同时保持泄露非常低的结。背景技术 通过应变提高迁移性能,即载流子迁移率,已经在场效应管(FET)的工作特性中得到证明。对于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,通过增强载流子迁移率提高器件特性,在制造极高速器件时具有很大的可能...
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