技术编号：6832541
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及从溶液中淀积金属硫族化物膜的方法，以及制备一种包含这种膜的场效应晶体管的方法。更具体的，本发明涉及制备这样一种场效应晶体管的方法，这种晶体管包含一种从溶液中淀积出的金属硫族化物膜作为沟道层。背景技术 淀积高质量的半导性，金属性和绝缘性薄膜的能力构成了现今固体电子学的重要支柱之一。一块太阳能电池可能包括，例如，在p型衬底上淀积的一个n型半导体薄层(～0.25μm)，并在每层上附有电接触以收集光电流。发光二极管(LED’s)一般由一个p-n双层组成，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。