技术编号:6834057
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置及其制造方法,特别是涉及一种具有深沟槽电容器的多栅极动态随机存取存储单元(Dynamic Random Access MemoryCell)、一种以多栅极动态随机存取存储单元为基础的动态随机存取存储器阵列、及其制造方法。背景技术 在最近的半导体产业中,普遍地可制造出具有深沟槽(deep trench;DT)电容器的动态随机存取存储器装置,其可以贮存较大的电容,并表现出较高的性能。请参照图1,其绘示一种现有动态随机存取存储单元的剖面示...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。