技术编号：6834255
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电子集成，具体涉及一种能降低探测器阵列芯片与硅读出电路互连的铟柱焊点应力的红外焦平面器件。背景技术 红外焦平面(FPA)技术在军事，环境，民用，工业和医学等众多领域有着广泛的应用，尤其对非常大规模的FPA需求正在不断增长。然而，大规模红外FPA是由大规模的HgCdTe、量子阱等光敏元芯片与硅读出信号集成电路，通过各自生长的铟柱倒扣键合形成一个完整的焦平面器件，其键合质量直接影响器件的最终性能和可靠性。人们为了降低铟柱焊点承受的应力，提高封装可靠...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。