技术编号:6834769
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器元件及其制造方法,特别是涉及一种快闪存储单元(Flash memory cell)的结构及其制造方法。背景技术 非挥发性存储器(Nonvolatile memory)目前多应用在各种电子元件的使用上,如储存结构数据、程序数据及其它可以重复存取的数据。而其中一种可重复存取数据的非挥发性存储器称为闪存。闪存为一种可电抹除且可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。