技术编号:6835110
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器元件,特别是涉及一种多阶分离栅极快闪存储器。背景技术 在各种非挥发性存储器产品中,具有可进行多次数据的存入、读取、抹除等动作,且存入的数据在断电后也不会消失的优点的快闪存储器,已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的快闪存储器以掺杂的多晶硅(Polysilicon)制作浮置栅极(FloatingGate)与控制栅极(Control Gate)。而且,为了避免快闪存储器在抹除时,因过度抹除现象太过严重,而导致数据的误判...
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