技术编号:6835130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及,以及尤其涉及一种在绝缘层上的硅衬底上,在SiGe上包含应变硅的半导体器件。背景技术 已经涌现出各种技术来改进半导体技术发展的性能。一种方法包括引进应变。由于增强的输运性能,应变硅显示出改进的半导体性能。应变硅中晶格的双轴扭曲提高了电子和空穴的迁移率。其它增强性能技术包括提供一个半导体层,通过一个绝缘层将衬底分开。众所周知的绝缘层上硅(SOI),这种结构显示出降低的寄生电容,从而允许半导体以很高的速度工作,并降低电学损耗。该结果明显地提高性...
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