技术编号：6835215
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型的，更确切地说包括表面预处理和表面硫钝化方法，属于半导体材料与器件。背景技术 半导体材料的表面平整度是后续外延和器件工艺的基础。基於氧化溶解机制的湿化化学腐蚀是制备半导体器件的关键工艺，III-V族銻化合物経湿法工艺处理后往往发现工艺重复性差而影响器件性能，长期来一直未能弄清楚这些实验结果的容增大，从而导致探测器的反向特性偏软，并且影响其光电响应特性。III-V族半导体材料普遍具有表面复合速率高、表面费米面钉扎等表面性能，成为阻碍器件发展...
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