技术编号:6835303
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是涉及具有电容器元件的半导体装置,特别是具有电容器绝缘膜中采用立体形状的强电介质电容器元件的。背景技术 近年来,在具有电容器绝缘膜采用强电介质的电容器元件的、所谓强电介质存储装置领域中,也越来越要求元件微细化。但是,以往通过涂敷法形成强电介质膜的成膜方法只能在平坦的面上形成强电介质膜。因此,存储单元的微型化是有界限的。为了解决这个问题,研究在阶梯部上通过化学气相沉积(Chemical Vapor DepositionCVD)法可能形成强电介质膜的成膜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。