技术编号：6835480
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种；尤其是在半导体装置中的电容器的下电极的制造方法。现有技术最近半导体技术在微小化方向的进展，导致加速实现存储器装置的大规模集成。结果，单元面积减少，而且所需的操作电压变低。虽然单胞面积减少，但是每个单胞需要有大于25fF的电容，以防止发生软性错误和缩短更新时间。因此，已有多种方法确保所需的电容。其中一种确保所需电容的方法是形成3维电容器。3维电容器的典型范例是凹型电容器和圆柱型电容器。图1A到图1D为在半导体装置中形成下电极的传统方法的横截面...
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