技术编号:6835686
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体器件,更明确地,涉及横向场效应晶体管(FET)结构和制造方法。背景技术 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种普通类型的集成电路器件。MOSFET器件包括源区、漏区、伸展于源区和漏区之间的沟道区,和设置在沟道区上面的栅。该栅包括一个置于沟道区之上的并以薄电介质层与沟道区隔离的导电栅结构。横向MOSFET器件是高压(也就是高于200伏)设备,例如AC/DC电压转换中的离线开关调节器(off-line switching re...
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