技术编号：6835821
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件的领域，并且更具体地，涉及利用蚀刻终止层制造在互连孔的下部侧壁(lower side)处有斜面的半导体器件的方法。背景技术 通常，在高性能、高集成半导体器件中，使用多层结构连接上部和下部金属层。在制造半导体器件的常规工艺中用作金属布线的Al(铝)由于例如电迁移、低熔点之类的问题不适合于制造高集成半导体器件。因此，取而代之使用具有相对更好的电迁移特性、较低电阻和比Al高的熔点的金属，例如铜。通过通孔相互连接多层结构的金属布线，并且在具...
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