技术编号:6835825
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种读访问和写访问的光源中适用的,更确切地,涉及一种没有应变并提供良好器件特性的。背景技术 图4示出了在本发明完成之前由本发明的发明人制造的原型半导体激光器件的剖面图。应当注意的是该半导体激光器件在相应的日本专利申请No.2003-316468中第一次公开且还没有被引入任何其他文献。如图4所示,半导体激光器件由在N型GaAs制成的衬底上101上依次层叠的N型缓冲层102、由N型Al0.5Ga0.5As制成的N型覆层(claddinglayer)1...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。