专利名称：半导体激光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种读访问和写访问的光源中适用的半导体激光器件及其制造方法，更确切地，涉及一种没有应变并提供良好器件特性的半导体激光器件及其制造方法。
背景技术：
图4示出了在本发明完成之前由本发明的发明人制造的原型半导体激光器件的剖面图。应当注意的是该半导体激光器件在相应的日本专利申请No.2003-316468中第一次公开且还没有被引入任何其他文献。
如图4所示，半导体激光器件由在N型GaAs制成的衬底上101上依次层叠的N型缓冲层102、由N型Al0.5Ga0.5As制成的N型覆层(claddinglayer)103、由Al0.13Ga0.87As制成的有源层104、由P型Al0.5Ga0.5As制成的P型覆层105、由P型GaAs制成的盖层106以及P型GaAs制成的接触层108构成。P型覆层105由在有源层104的整个表面上形成的第一层和在第一层上的横向中心部分上形成的第二层构成，第一层具有几乎恒定的薄膜厚度，第二层具有台面形状并构成部分脊部111。盖层106构成了脊部111的剩余部分。
此外，在其上未形成第二层的第一层的部分中，形成由N型GaAs制成的填充层107，使得填充层107与第二层的相对横向侧表面接触。填充层107在盖层106的相对横向端部附近具有相对于盖层106几乎对称的两个突出部分。盖层106和突出部分的各个上表面在盖层的上侧以小于135°的角度会合。
而且，在接触层108的顶表面上形成由Au-Zn制成的p型电极109，而在衬底101的底表面上形成由Au-Ge制成的N型电极110。
图5A至5I示出了制造工艺过程中半导体激光器件的状态的剖面图。在下文中将参考图5A至5I描述用于制造所述半导体激光器件的方法。
首先，如图5A所示，利用MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法，在由N型GaAs制成的晶片状衬底101上依次层叠N型缓冲层102、N型覆层103、有源层104、P型覆层105以及P型盖层106。
接下来，蚀刻掉P型盖层106的两个横向侧部分和P型覆层105的两个横穿宽度(across-the-width)侧部分，以形成由图5B中附图标记111所示的脊部。然后，如图5C所示，在没有被蚀刻掉以形成脊部111的P型覆层105的顶表面上，利用MOCVD方法生长由N型GaAs制成的填充层112，以围绕盖层106和脊部111。由此，利用MOCVD方法生长填充层112使填充层112依照其上生长层的平面形状生长，由此在填充层112中的盖层106的周边部分中形成由图5C中的附图标记112a表示的突出部分112a。
接下来，利用例如旋涂法用光致抗蚀剂涂敷填充层112，以形成图5D所示的光致抗蚀剂膜113，然后用摄影的光线如紫外线辐射光致抗蚀剂膜113(曝光步骤)。显影之后，如图5E所示除去粗略地对应于突出部分112a的部分光致抗蚀剂膜113，以便仅在突出部分112a的相对横向侧上留下光致抗蚀剂膜113。
接下来，通过使用两个横向侧上留下的光致抗蚀剂膜113作为掩模，蚀刻图5E所示的突出部分112a，直到如图5F所示完全露出盖层106，然后几乎完全除去光致抗蚀剂膜113。以此方式，在如图5G所示的脊部111的相对侧上横向地形成填充层107，在盖层106的相对侧上填充层107具有相对于盖层106几乎对称的两个突出部分。
最后，利用MOCVD方法，如图5H所示，在填充层107和盖层106上生长接触层108，然后如图5I所示，在接触层108上形成由Au-Zn制成的p型电极109，同时在衬底101的底表面上形成由Au-Ge制成的N型电极110，以完成半导体激光器件的主要部件。
但是，当除去粗略地对应于突出部分112a的抗蚀剂膜部分以露出突出部分112a的顶表面时，利用抗蚀剂敷层中的离差(dispersion)或偏差(variation)制造半导体激光器件的方法限于旋涂法，其中凹陷部分中抗蚀剂膜的厚度易于增加，而突出部分中的抗蚀剂膜的厚度易于减少。因此，例如在负抗蚀剂(negative resist)的情况下，作为显影之后抗蚀剂去除区域的露出表面的区域，易于根据突出部分的顶表面形状而改变，以致在蚀刻突出部分112a之后填充层和盖层的顶表面的不平坦度易于改变。亦即，连续偏差(running variation)，换言之，游程(runs)或批(batches)中偏差易于产生在盖层的两个横向侧上的填充层的角形突出部分中。
在大多数情况下，在辐射光致抗蚀剂和图案显影之后，仅在突出部分112a的顶表面112b处露出N型GaAs层，其他部分，尽管已减少，仍被留下作为掩模。这引起一个问题，在蚀刻突出部分112a之后，如图5G所示，在盖层的相对横向侧上的填充层112中产生突出部分112c，每个突出部分112c具有在盖层106上侧相对于盖层106的顶表面倾斜的小于135°的角度，并具有对应于蚀刻之前的突出部分112a的形状的角形。
由于以上所述，存在应变产生于具有突出部分112c的表面、即产生于例如通过MOCVD方法形成的接触层108的问题。而且，还存在另一个问题，归因于通过MOCVD方法在突出部分112c上形成接触层108的应变，不仅作用到接触层108，而且作用到N型覆层103和衬底101，因此对有源层104的发光区产生负面影响并劣化半导体激光器件的发光特性。
发明内容
由此，本发明的目的是提供一种半导体激光器件及其制造方法，该半导体激光器件在填充层的顶表面上不形成引人注目的突出部分，从而实现减小的应变并提供良好的器件特性。
为了达到上述目的，根据本发明一个方面的半导体激光器件包括由覆层和布置在覆层之上的盖层组成的脊部；以及在脊部的相对横向侧上形成的填充层，其中盖层的顶表面和填充层的顶表面在盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。
填充层一般包括具有与脊部的导电类型相反的导电类型的相反导电层或高阻层。
根据本发明的半导体激光器件，盖层的顶表面和填充层的顶表面在盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合(接触)，该角度大于图4所示的半导体激光器件的角度，从而使盖层的顶表面和填充层的顶表面之间的接合部分采取几乎平面的形式，因此可以在具有几乎平面的接合部分的盖层的顶表面和填充层的顶表面上形成如接触层的层。这使得显著地减小在层、如接触层上产生的应变程度成为可能，而这又允许不仅显著地减小层、如接触层中的应变程度，而且减小覆层、衬底等中的应变程度。因此，本发明可改善半导体激光器件的耐久性及其器件特性、如振荡强度。
在一个实施例中，存在两个所述的脊部，且这两个脊部彼此电绝缘。
本实施例中的半导体激光器件可以以两种波长发射激光束并且可以用作例如能复制(reproduce)DVD和CD的所谓单片型双波长半导体激光器件。在该半导体激光器件中，每个盖层的顶表面和相关的填充层的顶表面在盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合，从而在盖层和填充层的几乎呈平面的顶表面上形成层、如接触层。这能够显著地减小层、如接触层中产生的应变程度，这又使得不仅在层、如各个接触层中而且在各个覆层、衬底等中的应变程度也显著地减小，能够改善单片型双波长半导体激光器件的耐久性及其器件特性。
根据一个实施例，在填充层和盖层的顶部上形成接触层或类似层，能够减小填充层和盖层与形成在层、如接触层上的电极之间的接触电阻。
此外，根据本发明另一方面的半导体激光器件的制造方法包括在衬底上层叠包括覆层和盖层的多个薄膜的步骤；通过除去部分覆层和部分盖层形成脊部的脊部形成步骤；形成由与脊部的侧表面接触的侧部(lateral portion)和覆盖盖层的突出部分组成的填充层的填充层形成步骤；在填充层的上表面上形成绝缘层的绝缘层形成步骤；用抗蚀剂涂敷绝缘层上表面的抗蚀剂涂敷步骤；去除粗略地对应于突出部分的顶表面的部分抗蚀剂的抗蚀剂去除步骤；在抗蚀剂去除步骤之后，用剩下的抗蚀剂作为掩模去除粗略地对应于突出部分顶表面的部分绝缘层、由此露出突出部分顶表面的第一绝缘层去除步骤；在第一绝缘层去除步骤之后，进一步去除剩下的抗蚀剂与突出部分之间的至少一部分绝缘层部分的第二绝缘层去除步骤；以及在第二绝缘层去除步骤之后，用剩下的绝缘层作为掩模去除填充层的突出部分，直到露出盖层的顶表面的突出部分去除步骤。
根据本发明的半导体激光器件的制造方法，在第一绝缘层去除步骤中露出填充层的突出部分的顶表面，进一步地，在第二绝缘层去除步骤中，蚀刻剂被有意地渗透到突出部分顶表面的相对侧上抗蚀剂下面的绝缘层中，以进行侧蚀刻(side etching)。当进行突出部分去除步骤时，调整这种侧蚀刻的程度，可以调整掩模部分的表面积。这使得可以在突出部分去除步骤之后将盖层的上侧形成的填充层顶表面和盖层顶表面之间的角度调整为135°或更大，但是不大于180°，允许制造具有减小的应变和良好的器件特性的半导体激光器件。
在一个实施例中，半导体激光器件的制造方法还包括在第一绝缘层去除步骤和第二绝缘层去除步骤之间，检查通过第一绝缘层去除步骤露出的填充层的露出部分并测量露出部分的面积，以确定第二绝缘层去除步骤的蚀刻时间的蚀刻时间确定步骤。
根据该实施例中的方法，即使在突出部分的形状中发现离差或偏差，也可以补偿所述离差，使得将在盖层上侧形成的填充层的顶表面和盖层的顶表面之间的角度接近180°。
根据半导体激光器件制造方法的一个实施例，绝缘层由SiO2层构成，SiO2层是对GaAs晶体的蚀刻剂具有容差的普通层。因此，可以容易地形成绝缘层，并且在从GaAs形成填充层的情况下，在突出部分去除步骤期间，剩下的绝缘层可以保持良好的状态。
在半导体激光器件制造方法的一个实施例中，利用等离子体CVD方法进行绝缘层形成步骤。
根据本实施例中的半导体激光器件的制造方法，可以以比利用汽相淀积方法或溅射方法在填充层上形成绝缘层的情况下更好的覆盖度在填充层上形成绝缘层。
在半导体激光器件制造方法的一个实施例中，将使用具有从{100}面倾斜的生长面的衬底作为衬底。
在半导体激光器的某些应用中，要使用的衬底的生长面优选从{100}面倾斜。在衬底的生长面从{100}面或平面倾斜的情况下，众所周知在蚀刻填充层的突出部分之后，产生具有几乎为直角的倾角并呈角形的突出部分。
但是，根据上述实施例中的半导体激光器件的制造方法，即使在衬底的生长面从{100}面倾斜的情况下，在通过蚀刻去除填充层的突出部分之后，在盖层部分的相对端附近也不会产生具有几乎直角的倾角并呈角形的填充层的突出部分，由此可以制造具有良好器件特性的半导体激光器件。
从下面的详细描述和附图中将更充分地理解本发明，附图仅用于说明，而并非限制本发明，附图中图1示出了本发明一个实施例中的半导体激光器件的结构剖面图；图2A至2M是制造工艺步骤中上述实施例中的半导体激光器件的剖面图；图3示出了本发明另一个实施例中的半导体激光器件的结构剖面图；图4示出了背景技术中的半导体激光器件的结构剖面图；以及图5A至5I示出了制造工艺中的背景技术的半导体激光器件的剖面图。
具体实施例方式
在下文，将参考附图结合优选实施例详细描述本发明。
图1示出了本发明一个实施例中的半导体激光器件的结构剖面图。
如图1所示，本实施例的半导体激光器件具有N型缓冲层2、由N型Al0.5Ga0.5As制成的N型覆层3、由Al0.13Ga0.87As制成的有源层4、构成脊部11的由P型Al0.5Ga0.5As制成的P型覆层5以及由P型GaAs制成的盖层6、由N型GaAs制成并形成在P型覆层5的脊部11的相对横向侧上的填充层7、以及由P型GaAs制成的接触层8，所有的层都依次层叠在由N型GaAs制成的衬底1上，衬底1具有从{100}面倾斜的生长面。盖层6的顶表面6a和邻近顶表面6a的填充层7的顶表面7b在盖层6的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。而且，在接触层8的顶表面上形成由Au-Zn制成的p型电极9，而在衬底1的底表面上形成由Au-Ge制成的N型电极10。
图2A至2M示出了在制造工艺期间实施例的半导体激光器件的状态剖面图。
在下文中将参考图2A至2M描述用于制造实施例中的半导体激光器件的方法。
首先，如图2A所示，利用MOCVD方法，在由N型GaAs制成的晶片状衬底1上依次层叠N型缓冲层2、N型覆层3、有源层4、P型覆层5以及P型盖层6，衬底1具有相对于{100}面倾斜的生长面。
接下来，进行脊部形成步骤。在脊部形成步骤中，如图2B所示，通过蚀刻去除P型盖层6相对横向侧的整个部分以及粗略地对应于P型盖层6的相对横向侧部分的P型覆层5的相对横向侧部分的规定深度部分，以形成由图2B中的附图标记11表示的脊部。
接下来，进行填充层形成步骤。在填充层形成步骤中，通过MOCVD方法在P型覆层5和P型盖层6上生长如图2C所示的填充层12，填充层12由与脊部11中的覆层5部分的侧表面接触的侧部以及突出部分12a组成，其中突出部分12a覆盖P型盖层6的侧表面和顶表面、形状粗略地对应于P型盖层6的外部形状并且由N型GaAs制成。应当注意，在如本实施例所示通过MOCVD方法生长填充层12的情况下，填充层12生长为与其上生长填充层12的表面的形状一致的形状，从而依照脊部11的形状自然地产生朝向盖层6的相对横向侧突出的突出部分12a。
接下来，进行绝缘层形成步骤。在绝缘层形成步骤中，如图2D所示，利用等离子体CVD方法在填充层12上形成由SiO2电介质层制成的绝缘层14，等离子体CVD方法提供了比汽相淀积方法或溅射方法更好的覆盖度。SiN和Al2O3也可以用作绝缘层14的材料。
接下来，进行抗蚀剂涂敷步骤。在抗蚀剂涂敷步骤中，利用例如旋涂法用正性抗蚀剂涂敷绝缘层14，以形成光致抗蚀剂膜13，如图2E所示。
接下来，进行抗蚀剂去除步骤。在抗蚀剂去除步骤中，利用用于摄影的光线如紫外线辐射(曝光)光致抗蚀剂膜13。在显影之后，去除粗略地对应于突出部分12a的顶表面的部分光致抗蚀剂膜13，如图2F所示。
接下来，进行第一绝缘层去除步骤。在第一绝缘层去除步骤中，在抗蚀剂去除步骤之后，用突出部分12a的相对横向侧上剩下的光致抗蚀剂膜13作为掩模，去除粗略地对应于突出部分12a的顶表面的部分绝缘层14，以暂时地露出突出部分12a的顶表面，如图2G所示。
接下来，进行蚀刻时间确定步骤。在该蚀刻时间确定步骤中，切掉晶片的边缘，从而在突出部分12a的顶表面被露出的状态下在视觉上检查突出部分的截面，并且通过SEM(扫描电子显微镜)观测或类似手段检查和测量脊头部的开口面积(aperture area)、即填充层12的露出面积，用于确定在下面的第二绝缘层去除步骤中蚀刻光致抗蚀剂膜13和突出部分12a之间的绝缘层14部分的时间。
接下来，进行第二绝缘层去除步骤。在第二绝缘层去除步骤中，用在蚀刻时间确定步骤中确定的时间进行蚀刻，以去除光致抗蚀剂膜13和突出部分12a之间的绝缘层14部分，从而将在制造工艺中的半导体激光器件形成为图2H所示的形状。应当注意的是该附加蚀刻是侧蚀刻，执行该蚀刻以将蚀刻剂有意地渗透到填充层12的露出部分相对侧上的抗蚀剂下面的绝缘层中，因此蚀刻速率较慢并且是可控的。
接下来，进行突出部分去除步骤。在该突出部分去除步骤中，在如图2I所示去除由图2H中的附图标记13表示的剩下的光致抗蚀剂膜之后，使用经受上述附加蚀刻的绝缘层14作为掩模，蚀刻图2I所示的突出部分12a，直到由图2I中的附图标记12表示的填充层的形状成为由图2J中的附图标记7表示的形状，即，直到露出盖层6的顶表面6a。
接下来，如图2K所示，在几乎完全分离或去除图2J的盖层6两侧上剩余的绝缘层14之后，在盖层6和填充层7上形成接触层8，如图2L所示。
最终，在接触层8上形成由Au-Zn制成的p型电极9，同时在衬底1的底表面上形成由Au-Ge制成的N型电极10，以完成图2M所示的半导体激光器件的主要部件。
应当理解的是，用于构成本实施例的半导体激光器件的衬底1、层2至8以及电极9、10的材料仅仅作为例子提出，因此是非限制性的，因此其他材料的使用也是可接受的。
根据实施例中的半导体激光器件，盖层6的顶表面和填充层7的顶表面7b在盖层6的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合，该角度远大于图4所示的半导体激光器件的角度，从而使盖层6的顶表面6a和填充层7的顶表面7b的接合部分处于几乎平面的状态，因此可以在具有几乎呈平面的接合部分的盖层6的顶表面6a和填充层7的顶表面7b上形成接触层8。与图4的半导体激光器件相比较，这样可以显著地减小接触层8中产生的应变程度，从而允许不仅显著地减小接触层8中的应变程度，而且也减小覆层5、衬底1等中的应变程度。因此，能够改善上述实施例中半导体激光器件的耐久性及其器件特性、如振荡强度。
而且，根据上述实施例中的半导体激光器件，填充层7和盖层6的不平坦表面处于几乎呈平面的状态，因而此后将形成的接触层的顶表面上不易反映出不平坦度。结果，使接触层的厚度减小成为可能，并且在接触层用来为在其顶部形成的电极9提供芯片键合面(die bonding face)的情况下，可以显著地减小其热阻。
而且，根据上述实施例中的半导体激光器件的制造方法，去除粗略地对应于突出部分12a的顶表面的部分绝缘层14，以便在第一绝缘层去除步骤中露出填充层12的突出部分12a的顶表面，然后，在第二绝缘层去除步骤中，有意地将蚀刻剂渗透到露出部分的相对侧上的光致抗蚀剂膜13下面的剩余绝缘层14中，以进行侧蚀刻。由此，当进行突出部分去除步骤时，调整该侧蚀刻的程度，从而能够调整用作掩模的绝缘层14的表面积。因此，在突出部分去除步骤之后，在盖层6的相对横向侧部分上，不会于填充层7中产生在盖层6上侧以小于135°的角度会合(接触)的填充层7的顶表面7b和盖层6的顶表面6a组成的引人注意的角形突出部分，允许制造具有减小的应变和良好的器件特性的半导体激光器件。
而且，在第二绝缘层去除步骤中提供蚀刻时间确定步骤，其检查由第一绝缘层去除步骤露出的填充层12的露出部分并测量该露出部分的面积以确定蚀刻时间。因此，即使在半导体激光器件中发现突出部分12a的形状离差或偏差，也可以补偿该离差，使得在突出部分去除步骤之后，在盖层6的上侧形成的填充层7的顶表面7a和盖层6的顶表面6a之间的角度接近180°。
而且，绝缘层14由通常使用的SiO2层构成，由此促进薄膜形成。
而且，利用等离子体CVD方法进行绝缘层形成步骤，与利用汽相淀积方法或溅射方法在填充层上形成绝缘层的情况相比，能够在填充层12上以更好的覆盖度形成绝缘层14。
而且，应用本发明的半导体激光器件的制造方法以制造使用具有从{100}面倾斜的生长面的衬底1的半导体激光器件。因此，即使与该实施例一样在使用的衬底1的生长面从{100}面倾斜的情况下，在蚀刻填充层12的突出部分12a之后，在盖层6的相对横向侧附近也不会产生具有几乎为直角的倾角的引人注目的角形突出部分。这允许制造具有良好器件特性的半导体激光器件。
在上述实施例中的半导体激光器件中，覆层5中的第一层和覆层5中台面形状的第二层被构造为邻接的状态，其中第一层形成在有源层4的整个顶表面上且具有几乎恒定的薄膜厚度，第二层形成在第一层的顶表面的横向中心部分上并构成脊部11的一部分。但是，在本发明的半导体激光器件中，覆层5中的第一层和覆层5中台面形状的第二层经由蚀刻停止层彼此分隔，其中第一层形成在有源层的整个顶表面上且具有几乎恒定的薄膜厚度，第二层形成在第一层的顶表面的横向中心部分上并构成脊部的一部分。
图3示出了本发明另一实施例中的半导体激光器件的剖面图。该半导体激光器件是例如能复制CD和DVD的所谓单片型双波长半导体激光器件。在该单片型双波长半导体激光器件中，在衬底61的一侧上形成由AlGaAs基材料制成的第一半导体激光器件63，其用于发射用于CD的780nm波长的激光束，在衬底61的另一侧上形成由AlGaInP基材料制成的第二半导体激光器件64，其用于发射用于DVD的650nm波长的激光束。尽管在附图中未示出，但在第一半导体激光器件63和第二半导体激光器件64之间提供用于使脊部彼此电绝缘的隔离部分。
利用用于制造图1所示的半导体激光器件并参考图2A至2M描述的半导体激光的制造方法来制造第一半导体激光器件63和第二半导体激光器件64。在制造半导体激光器件时，对于第一半导体激光器件和第二半导体激光器件，同时进行包括脊部形成步骤、填充层形成步骤、绝缘层形成步骤、抗蚀剂涂敷步骤和抗蚀剂去除步骤、以及第一绝缘层去除步骤、第二绝缘层去除步骤和突出部分去除步骤的步骤。
因此，在该实施例中的单片型双波长半导体激光器件中，与图1所示的半导体激光器件的情况一样，第一半导体激光器件63中的盖层66的顶表面和填充层67的突出部分67a的顶表面在盖层66的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合，并且第二半导体激光器件64中的盖层68的顶表面和填充层69的突出部分69a的顶表面在盖层68的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。
根据该实施例中的单片型双波长半导体激光器件，第一和第二半导体激光器件63中的每个盖层66、68的顶表面和每个填充层67、69的顶表面在每个盖层66、68的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。因此，能够在几乎呈平面的盖层66、68的顶表面和填充层67、69的的顶表面上形成具有减小的应变和良好晶体结构的接触层。这允许不仅显著地减少接触层中的应变程度而且减少覆层和衬底中的应变程度，由此能够改善上述实施例中的半导体激光器件、即能重放DVD和CD的单片型双波长半导体激光器件的耐久性，并改善其器件特性，如两种激光束的发射强度。
应当理解的是，用于本发明半导体激光器件每个层的组分中的克分子分数(mole fraction)不局限于结合上述实施例具体描述的数值。还应当理解的是，在本发明半导体激光器件中的每个层的厚度不局限于结合上述实施例中的半导体激光器件具体描述的数值。
在此描述了本发明的实施例，显然，相同的部分可以以多种方式变化。这样的变化不应被认为是对本发明精神和范围的背离，所有这些对于本领域技术人员来说很明显的变更均包括在所附权利要求的范围内。
权利要求
1.一种半导体激光器件，包括由覆层和在所述覆层的顶部上设置的盖层所组成的脊部；以及在所述脊部的相对横向侧上形成的填充层，其中所述盖层的顶表面和所述填充层的顶表面在所述盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其中存在两个所述的脊部，并且这两个脊部彼此电绝缘。
3.一种半导体激光器件的制造方法，包括在衬底上层叠包括覆层和盖层的多个薄膜的步骤；通过去除部分所述覆层和部分所述盖层来形成脊部的脊部形成步骤；形成由与所述脊部的侧表面接触的侧部和覆盖所述盖层的突出部分所组成的填充层的填充层形成步骤；在所述填充层的上表面上形成绝缘层的绝缘层形成步骤；用抗蚀剂涂敷所述绝缘层的上表面的抗蚀剂涂敷步骤；去除粗略地对应于所述突出部分的顶表面的部分抗蚀剂的抗蚀剂去除步骤；在所述抗蚀剂去除步骤之后，用剩下的抗蚀剂作为掩模去除粗略地对应于所述突出部分的所述顶表面的部分绝缘层，由此露出所述突出部分的所述顶表面的第一绝缘层去除步骤；在所述第一绝缘层去除步骤之后，进一步去除所述剩下的抗蚀剂和所述突出部分之间的至少一部分绝缘层部分的第二绝缘层去除步骤；以及在所述第二绝缘层去除步骤之后，用剩下的绝缘层作为掩模去除所述填充层的所述突出部分，直到露出所述盖层的顶表面的突出部分去除步骤。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器件的制造方法，还包括在所述第一绝缘层去除步骤和所述第二绝缘层去除步骤之间，检查通过所述第一绝缘层去除步骤露出的所述填充层的露出部分并测量所述露出部分的面积，以确定用于所述第二绝缘层去除步骤的蚀刻时间的蚀刻时间确定步骤。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器件的制造方法，其中所述绝缘层是SiO2层。
6.根据权利要求3所述的半导体激光器件的制造方法，其中利用等离子体CVD方法进行所述绝缘层形成步骤。
7.根据权利要求3所述的半导体激光器件的制造方法，其中将具有从{100}面倾斜的生长面的衬底用作所述衬底。
8.一种半导体激光器件的制造方法，包括形成由覆层和所述覆层的顶部上设置的盖层所组成的脊部；形成填充层以覆盖所述脊部；在所述填充层上形成绝缘膜；从所述绝缘膜选择性地去除位于所述脊部上方的部分，以露出所述填充层；以及去除所述露出的填充层，直到露出所述脊部的顶表面。
全文摘要
提供了一种半导体激光器件，其具有由覆层和覆层顶部上设置的盖层组成的脊部，以及在脊部的相对横向侧上形成的填充层。盖层的顶表面和填充层的顶表面在盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。制造器件时，在形成填充层以覆盖脊部之后，形成绝缘膜并从绝缘膜选择性地去除脊部上方的部分，以露出填充层。然后，去除露出的填充层，直到露出脊部的顶表面。
文档编号H01S5/40GK1617400SQ20041010055
公开日2005年5月18日 申请日期2004年9月9日 优先权日2003年9月9日
发明者桥本隆宏 申请人:夏普株式会社