技术编号:6836178
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般而言是有关于一种微电子元件,且特别有关于一种具有多边(multi-sided)源极/漏极金属硅化物(silicide)或其它接触(contact)结构的微电子元件;另,本发明亦揭露一种形成上述结构的方法,以及一种具有上述结构的集成电路(integratedcircuit)。背景技术 一般晶体管与半导体元件乃包含位于栅极堆栈相对侧的源极与漏极区,介层窗(via)或其它内连线(interconnect)则延伸穿越一或一以上位于晶体管上方的介电层,从而...
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