技术编号:6840954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体结构,特别是涉及一种绝缘层上半导体的结构。背景技术对较高性能的电路的期望,驱使高速次100纳米(nm)的绝缘层上硅晶(Silicon-on-insulator;SOI)互补式金氧半导体的发展。在绝缘层上硅晶技术中,晶体管形成于一硅薄层上,此硅薄层并位于一绝缘材料上。形成于SOI的元件,可较其相对的本体结构提供许多的优点,例如改善反转本体效应(Reverse Body Effect)、改善闭锁现象(Latch-up)、免除软件错误(S...
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