技术编号:6841560
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子领域,涉及半导体功率器件,更具体涉及分离式半导体功率器件沟槽式MOSFET的设计及制作方法。背景技术一种功率MOSFET有三个电极,分别是栅极、源极、漏极,根据栅电压的高低,控制源极与漏极的开启关断状态。沟槽式MOSFET作为近代新兴的功率M0SFET,是电流垂直流向的器件。在晶片表面制作MOSFET的源极和栅极的电极,背面制作MOSFET的漏极电极,有着高集成、低导通电阻的优点。沟槽式MOSFET的包含有元胞区和栅极总线导出区。一般位于芯...
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