技术编号:6842522
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型是有关于一种半导体组件,且特别有关于一种单一晶体管动态随机存取存储单元,此单一晶体管动态随机存取存储单元具有较小的尺寸与较长的电压保存时间。背景技术动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memories,简称DRAM)常用来增加每单位表面积的储存位,且其中以单一晶体管(singletransistor,简称1T)DRAM单元最常用。此单一晶体管动态随机存取存储单元包括一个单一金氧半(MOS)晶体管、一个通栅晶体管(pas...
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