技术编号:6843613
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术方法本发明涉及半导体制造,特别涉及通过金属的低温氧化形成的蚀刻硬掩模。2、相关技术的说明半导体制造中的沟槽形成经常受到用于形成半导体晶片的沟槽或其它部件的掩模的能力的限制。为了更详细地说明这一点,解释深沟槽蚀刻的示意性的例子。使用深沟槽以包括用于深沟槽电容器的存储结。为了增加深沟槽电容器的容量,增加存储结的表面面积是有利的。这样做的一种方式是增加深沟槽的深度,因为包括深沟槽的衬底能提供深度而不会对衬底的布置面积有影响。深沟槽(DT)蚀刻深度通常受到...
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