技术编号：6844010
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明涉及半导体处理方法和结构，更具体地，涉及具有多种不同材料的半导体层的凹槽栅极场效应晶体管，其中下部层是对于上部层的材料选择地蚀刻的，以创建用于增强的性能的凹槽栅极晶体管结构。金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)包括在单晶半导体的基片上具有在栅极介质层上的一个或多个栅极导体层的绝缘栅极。栅极导体通常包括多晶硅材料层，以及栅极介质层在基片是硅时常常由诸如氧化硅等氧化物组成。金属硅化物层通常被形成在多晶硅层上，以减小栅极导体的电阻。有时，上部金属...
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