技术编号:6844940
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可控制磁化的环线方向且具有静态环状单磁畴结构的微小磁体,以及将该微小磁体配置在衬底上的磁记录元件及其制造方法,特别是涉及采用该磁记录元件的磁随机存取存储器。背景技术 作为下一代主存储用存储器,要求具有接近SRAM的高速性、接近DRAM的集成度以及可无限改写且非易失,基于这些理由,MRAM倍受关注。MRAM指的是磁随机存取存储器(magnetic random accessmemory),是组合磁阻元件与标准半导体技术的存储器,具有非易失性、低压工...
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