技术编号:6845337
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有防静电放电保护的集成电路。人可以接受的静电荷处于约0.6μC的数量级上。可以通过电容150pF的电容器模仿人。如果在电容150pF的电容器上储存0.6μC的电荷,那么它相当于约4kV的充电电压。如果载有这种电压的人接触接地的物体,那么会出现静电放电。此人在约0.1μs内放出若干安培的电流。由于印制导线和pn结的氧化层厚度和尺寸很小,通过MOS(=MetalOxid Semiconductor)集成块分布的静电放电过程通常造成部件损坏。放电...
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