技术编号:6845602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置,其中包括低电位基准电路和高电位基准电路。更具体地说,本发明涉及具有在低电位基准电路和高电位基准电路之间传输信号的高耐压MOS的半导体装置。背景技术 这样的半导体装置通常和广泛地用于功率装置等,在该半导体装置中包括低电位基准电路和高电位基准电路。这种半导体装置通常具有例如图16所示的结构。也就是说,半导体装置具有低电位基准电路区域1和高电位基准电路区域2,而且高电位基准电路区域2被形成为降低表面电场(resurf)等的高耐压隔离区域...
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