技术编号：6846058
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及适用于调整电流流量的器件，并且对在集成电路(IC)范畴内的这些器件的制造具有特定的应用。尤其是，它涉及适用于调整电流流量的晶体管，该晶体管具有与沟道区域形成肖特基或者类肖特基接触的金属源极和/或漏极。(2)背景技术本领域中一种众所周知的晶体管类型是肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(“肖特基势垒MOSFET(Schottky-barrier MOSFET)”或者SB-MOS)。如图1所示，SB-MOS器件100包括半导体衬底110，在该衬底上...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。