技术编号：6846061
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及沟槽MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，尤其但不专门涉及适于用作控制和同步FET的沟槽MOSFET结构。低压沟槽MOSFET通常例如用在诸如个人计算机的电子设备的电源中的电压调节器模块(VRM)中。通常，采用一对MOSFET，即通常所说的控制FET和同步FET。这些FET的理想特性差别很小。对于同步FET，传导功率损耗应尽可能低。由于传导功率损耗与特定导通电阻(Rds，on)成比例，所以应该减小这个参数。另一方面，对于控制FET，应最小...
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