技术编号:6846337
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子器件领域,更具体地说涉及制备金属栅晶体管的方法。背景技术 微电子器件通常制造在硅晶片中和硅晶片上以及其它类型的其它衬底上。这种集成电路可包括数百万个晶体管,如本领域中公知的金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管。MOS晶体管一般包括源区、漏区和栅极区,其中栅极材料一般可包括多晶硅。然而,多晶硅栅极可能容易受到耗尽效应的影响,其中施加到多晶硅栅极的电场清除掉(sweep away)载流子(p-型掺杂多晶硅中的空穴,或n-型掺杂多晶硅中的电子)...
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