技术编号：6846394
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的生产工艺，更具体的涉及用于生产带有电容器部分的半导体器件的工艺，其中电容器部分包含由铂族金属(例如铂或铱)构成的电极，所述工艺包含去除掉由铂族金属引入的杂质的步骤。近年来，诸如DRAM的存储单元已经变得越来越精细，但当将传统的氮化物或氧化物膜用做介电膜时，很难保证他们具有足够的容量，这是因为该膜仅具有2到3的介电常数。为了解决此问题，已经趋向于使用一种铁电膜，其具有离子键型钙钛矿型结构，该结构由钛酸钡、钛酸锶、钛酸钡锶等构成。同时...
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