专利名称：半导体器件的生产工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件的生产工艺，更具体的涉及用于生产带有电容器部分的半导体器件的工艺，其中电容器部分包含由铂族金属(例如铂或铱)构成的电极，所述工艺包含去除掉由铂族金属引入的杂质的步骤。
近年来，诸如DRAM的存储单元已经变得越来越精细，但当将传统的氮化物或氧化物膜用做介电膜时，很难保证他们具有足够的容量，这是因为该膜仅具有2到3的介电常数。为了解决此问题，已经趋向于使用一种铁电膜，其具有离子键型钙钛矿型结构，该结构由钛酸钡、钛酸锶、钛酸钡锶等构成。同时，在IC卡或通常用途的微型计算机中已经广泛使用了在其上安装铁电随机存取存储器(FeRAM)逻辑大规模集成电路，而诸如PZT(pb(ZrTi)O3)和SBT(SrBi2Ta2O9)的铁电膜被用做FeRAM的容性绝缘膜。这些铁电膜在当与FeRAM的基片直接接触时，会产生基片的氧化并最终会降低FeRAM的容量。因此，在使用此种的由上述材料构成的铁电膜时，已经习惯于使用上或下电容器电极，该电极由不与铁电膜材料起反应的铂族金属(例如铂或铱)构成。图4(a)到图4(i)为用于生产半导体存储器件的各个步骤的截面示意图，该半导体存储器件包含MOS晶体管和电容部分，该电容部分包含铂族金属电极和铁电膜，并可通过电荷积累而进行数据存储。参考这些图，将更具体的描述在半导体存储器件的生产过程中使用铂族金属的一个实例。
首先，根据图4(a)中所示，按照所公知的方法，在硅基片1上形成MOS型晶体管。即，通过公知的诸如LOCOS(硅的局部氧化)形成一个作为器件隔离区的场氧化物2；接着，通过热氧化，形成厚度为50-100nm的作为栅绝缘膜3的硅氧化膜。然后，顺序形成掺-磷的多晶硅膜和WSi膜；此后，对其加工制作图形以形成栅电极4。然后，进行离子注入以形成杂质扩散层5，由此完成MOSFET的制备。
接着，如图4(b)中所示，通过CVD形成作为第一内层绝缘膜6的含硼氧化硅膜(BPSG)；然后，进行蚀刻以形成接孔；在接孔中顺序形成Ti膜和W膜从而形成竖直互连7。
接着，如图4(c)中所示，形成一个作为电容部分的下部电极层8的铂薄膜；然后，顺序形成铁电膜9(例如PZT)和作为电容部分的上部电极层10的铂薄膜。
然后，如图4(d)中所示，形成一个由硅氧化膜构成的掩膜层11从而在当形成其他的元件部分时可保护上面形成的电容部分。
在已经形成其他的元件部分后，如图4(e)中所示，在掩膜层11上形成光刻胶图形12。使用此光刻胶图形作为掩膜，干蚀掩膜层11、上部电极10、铁电膜9和下部电极层8，以形成所需的电容部分14并如图4(f)所示，在其上留下掩膜层11。
接着，如图4(g)中所示，去除掩膜层11。然后，形成第二内层绝缘膜15从而盖住电容部分14和第一内层绝缘膜6，如图4(h)中所示；此后，在膜15中形成一个用于将上层布线(将在后面形成)和上部电极层10相连的开孔16，如图4(i)中所示。
最后，形成一个金属膜，以填充开孔16，并进而盖住在图4(i)的步骤中获得的材料的整个的表面；对金属膜进行加工图形以形成所需的上层布线17；在其上形成第三中间-层绝缘膜18(例如氮化硅膜)，从而形成如图3中的截面图所示的半导体存储器件。
在图4的步骤中，在进行蚀刻以形成在其上具有掩膜层的电容部分14的过程中，会存在蚀刻残留物黏附在电容部分14的侧壁上的危险，结果会导致所生产的器件的性能降低。为了去除掉蚀刻的残留物，需进行清洗步骤。例如，日本专利JP-A-10-12836中揭示了一种方法，其通过使用作为清洗液的盐酸、硝酸、氢氟酸及其混合物、80度或更高温度的水或有机溶剂清除蚀刻残留物。
在生产半导体存储器件的过程中，当如上所述形成用于形成其他元件部分的作为保护掩膜11的氧化硅膜或第二内层绝缘膜15从而覆盖电容部分14时，从电容部分14的上部铂薄膜10产生铂原子或粒子13并沉积到保护掩膜11上或第二内层绝缘膜15上；当形成与上部电极相通的接孔时，在第二内层绝缘膜15上会黏附上从上部铂薄膜蒸发的铂原子或粒子、其与氯气(干蚀气体)的反应物(即氯化铂)和氧化物等；另外，它们甚至会黏附在硅基片1的背面。由于铂原子特别容易在硅基片中引起热扩散，黏附在基片背面上的铂原子会移动到半导体器件的晶体管元件区，这会对元件的性能产生严重的问题。在通过使用用于生产上述的保护掩膜或第二内层绝缘膜的设备在其他的硅基片上制造绝缘膜时也会产生类似的问题，残留在设备中的铂原子或粒子会黏附在形成在其他硅基片上的绝缘膜上或黏附在其他硅基片的背面上。众所周知的是，上述残留的铂杂质，即使其量小到1X1010原子/平方厘米，也会对所生产的半导体器件的寿命或电子性能产生负面的影响。
此种的杂质包含(1)被半导体基片的表面、在半导体上形成的绝缘膜(例如氧化硅膜)的表面、和基片的背面上吸收或黏附的金属粒子，和(2)黏附在其上的金属粒子。
因此，需要去除由于铂族金属引入的此种的杂质。然而，至今未找到十分有效的去除杂质的方法。
在实际的生产的半导体器件的过程中，存在这样一种情况，即依据要被去除的目标物质的种类，一个清洗箱被用于多个清洗步骤。在此情况下，如果用于清洗包含有铂族金属的基片的清洗箱被用于清洗其他的基片，会产生二次污染。因此，需要事先去除掉前面基片的由于铂族金属所引入的污染杂质。除了上述的清洗步骤外，在诸如氧化膜形成步骤等各种的其他的步骤中同样可使用用于污染基片或其他基片的设备(进行清除杂质工作)。
作为传统的用于去除金属的化学溶液包含盐酸、过氧化氢和水的混合溶液(HCl-H2O2-H2O∶HPM)；硫酸和过氧化氢的混合溶液(H2SO4-H2O2∶SPM)；硝酸和盐酸的混合溶液(王水)；氨水、过氧化氢和水的混合溶液。然而，这些传统的用于去除金属的化学溶液通常被用于重金属，其无法充分的去除掉具有非常低的离子化倾向的诸如铂和铱等杂质，且很难如上所述的将杂质数值降低到1×1010原子/平方厘米以下。即使从基片表面将杂质去除掉，被去除的杂质会悬浮在所使用的清洗溶液中，从而当将基片从清洗液中取出时，杂质会重新黏附在基片上；总之，很难去除杂质。
在例如JP-A-3-228327和JP-A-8-31781中揭示了一种通过使用用于清洗硅晶片的盐酸、氢氟酸、和过氧化氢的混合溶液从硅晶片的天然氧化物表面去除杂质或从硅晶片的表面去除金属的技术。这些技术都被用于去除存在于硅基片上的杂质并在形成各种的器件之前使用。在JP-A-3-228327中揭示了在常温下使用HF∶HCl∶H2O2∶H2＝1∶10∶20∶100的混合溶液去除杂质的技术；在JP-A-8-31781中揭示了一种通过使用将17％HCl25％HF＝1∶1的溶液用水稀释100倍再加入H2O2溶液去除杂质的技术。这些技术对于去除通常的技术杂质是有效的，当对诸如铂和铱的铂族金属作用不大。
在JP-A-7-45580中揭示了一种技术，其通过下面的系列的清洗步骤去除黏附在晶片表面上的诸如铜等的金属杂质首先用稀释的氢氟酸去除硅晶片上的天然氧化物，然后用氢氟酸、盐酸、过氧化氢和水的混合溶液处理晶片，此后用盐酸、过氧化氢和水的混合溶液清洗晶片。
诸如铂和铱的铂族金属不与氢氟酸起反应。因此，当用氢氟酸进行处理时，首先，黏附在氧化膜表面的杂质被去除掉，并在腐蚀氧化膜表面的同时被转移到处理溶液中，但会作为悬浮的成分存在于溶液中。因此，当从溶液中将基片取出时，杂质会黏附在基片上，无法彻底的去除掉。
在JP-A-6-333898中揭示了清洗半导体基片表面的技术，其使用包含如下成分的清洗液(1)用于去除残留在半导体基片的表面上的有机物质和无机物质的强酸和氧化剂，(2)当对表面进行非常轻的腐蚀时用于去除残留在半导体基片表面上的残留物和粒子的由产生氟的氟磺酸或磺酰二氟构成的含氟化合物和(3)水。在文献的实例中，示出了在干蚀多晶硅膜后去除残留物的情况。然而，却未提到去除铂族金属的内容。
在日本专利申请No.10-263482中，本发明人建议为了去除形成在半导体基片上的绝缘膜上的铂族金属杂质，可使用包含如下成分的清洗液(1)用于去除金属杂质的化学溶液；(2)非常少量的氢氟酸。根据上述的技术，形成在清洗系统中的盐酸离子或硫酸离子离子化铂族金属并使其可溶解；从而，可防止铂族金属的再黏附；因此，可将铂族金属杂质减少到小于1×1010原子/平方厘米的水平。
由于为了彻底的清除杂质，需要非常强的酸性条件，依据所生产的半导体器件种类的上述技术会产生负面的效应。因此，通过使用盐酸离子或硫酸离子，虽然可去除氧化膜上的杂质，却无法彻底的防止被去除杂质的重新黏附的情况。
本发明的目的在于提供(1)清洗溶液，其可可靠的去除由于铂族金属(例如铂和铱)所引入的黏附在硅基片上的硅-基绝缘膜(氧化硅膜)上的杂质或黏附在硅基片背面上的杂质，并还可防止被去除杂质的再黏附；及(2)使用所述清洗溶液的清洗方法。
为了实现上述的目的，本发明人进行了广泛的研究。其结果发现为了去除由于铂族金属所引入的黏附在(1)半导体基片上的绝缘膜上和(2)基片的背面上的杂质，当使用由用于去除金属的化学溶液和非常少量的氢氟酸及螯合剂组成的清洗液时，可可靠的去除杂质，且被去除的杂质与螯合剂发生反应从而不会再黏附。本发明是在上述的发现基础之上形成的。
本发明的工艺用于从硅基片开始生产半导体器件，该半导体器件具有一个电容器部分，该部分包含铂族金属电极和铁电膜，该工艺包含一个清洁步骤，用于通过使用清洁溶液清洁和去除粘附在(1)与铂族金属电极接触形成的硅-基绝缘膜上和(2)硅基片的背面上的由铂族金属引入的杂质，所述清洁溶液包含用于清除金属的化学溶液和非常少量的氢氟酸及螯合剂。
根据本发明，可有效的去除掉由铂族金属引入的杂质并可防止已经被去除杂质的再次黏附；可防止在其他的器件中的二次污染。另外，在本发明中，由于是在形成或腐蚀铂族金属膜之后清洗基片的背面以去除铂族金属-引入的杂质，当通过使用机械手将所获得的基片转移到下一步骤的设备(例如，用于形成氧化硅膜的CVD机)中时，铂族金属不会污染机械手。其结果，不会发生其他的半导体基片被铂族金属交叉污染的情况。
在暴露的铂族金属层上形成内层绝缘膜或类似物会导致在上述工艺期间蒸发的铂族金属离子对所形成的内层绝缘膜的表面造成污染。然而，在本发明中，在上述的形成步骤之后，通过将基片浸入清洗液中清洗基片的正反面可清除掉如此形成的铂族金属杂质。
因此，在本发明中，由于清洗溶液包含螯合剂，可使清洗液中盐酸的浓度变低，从而，可减轻清洗元件部分时所产生的负面效应。
通过如此去除由于铂族金属所引入的杂质，可防止铂族金属扩散进半导体基片中，并进而避免诸如晶体管等元件的性能的降低，由此可生产出具有高可靠性的半导体器件。
图1为当使用本发明或传统技术的清洗溶液时所存留的铂杂质的示意图；图2(a)到图2(g)为根据本发明的用于生产半导体器件的实施例的各个步骤的截面示意图；图3为通过本发明或传统工艺生产的半导体存储器件的实例的示意图，该器件将MOS晶体管和电容器部分相结合，其中电容器部分包含铂族金属电极和铁电膜，其可通过电荷积累进行数据存储；图4(a)到图4(i)为用于生产半导体器件的传统工艺的截面示意图。
下面将详细描述本发明。
作为在本发明中使用的用于去除金属的化学溶液，可使用包含无机酸(例如盐酸或硫酸)和过氧化氢的溶液。作为无机酸，盐酸最好。
根据本发明，可发现当使用包含如下成分的清洗液时可有效的去除铂族金属杂质(1)在清洗体系中可产生次氯酸的成分(例如盐酸和过氧化氢的反应物)和(2)少量，最好是1wt％或更少的氢氟酸。次氯酸水溶液非常不稳定，并通常以次氯酸盐的形式存在(如钠盐或钾盐)。然而次氯酸盐不稳定，这是因为其含有对半导体器件的元件产生负面影响的阳离子(即钠或钾离子)。在本发明中，通过与在清洗体系中能够产生次氯酸的成分结合使用，从而可应用不稳定的次氯酸。
盐酸和过氧化氢彼此反应产生次氯酸。次氯酸与作为覆盖金属杂质的铂族金属(例如铂或铱)直接或通过其氯化物(例如氯化铂或氯化铱)进行反应生成四氯铂酸离子(H[PtCl4]-)或四氯铱酸离子(H[IrCl4]-)，从而，在清洗溶液中以悬浮成分存在的杂质(铂族金属)量变小。由于本发明的清洗溶液还包含螯合剂，存在于清洗溶液中的铂族金属与螯合剂发生反应并转化为螯合物；其结果，在清洗溶液中无悬浮成分，并可彻底的防止杂质的再黏附。
此时，同样存在于清洗溶液中的氢氟酸腐蚀硅-基绝缘膜，从而可容易的去除掉由铂族金属所引入的黏附在硅基绝缘膜上的杂质。
用在本发明中的螯合剂可为与铂族金属发生反应形成螯合物的任意的螯合剂。然而，最好为二元羧酸，这是因为酸不与一起使用用于去除金属的化学溶液起反应。
对于二元羧酸，可为脂族的二元羧酸，诸如草酸、丙二酸、丁二酸、柠檬酸、苹果酸、延胡索酸、柠康酸和酒石酸；和诸如酞酸、奈酸的芳香二元羧酸。除了这些羧酸外，同样可使用诸如1，2，4，5-奈四酸的多元羧酸。
所使用的螯合剂的量按重量比大约为100ppm到1％，通过此量可获得满意的效果。
图1为当使用本发明的清洗溶液和传统的清洗溶液去除黏附在(1)通过CVD形成的厚度大约为200nm的氧化硅膜及(2)硅基片的背面上的铂杂质时所存留的铂杂质的量。图1中所示出的是对2到4块晶片所测量的每单位面积黏附的铂原子，从图1中可看出，当用传统的HPM(HCl∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5)或SPM(H2SO4∶H2O2＝4∶1)处理原始具有大约1×1011-12原子/平方厘米铂杂质的基片时，基本上无杂质被去除。相反的，当用本发明建议的HPFM(HCl∶H2O2∶H2O＝3∶1∶5+0.1wt％.％HF)或SPFM(H2SO4∶H2O2＝4∶1+0.1wt％.％HF)进行处理时，可将杂质量降低到小于1×1010原子/平方厘米的数值，从而可获得满意的效果。当将螯合剂加入到HPFM或SPFM中时，可将杂质量去除到接近检测极限的数值。另外，当清洗溶液为盐酸型时，在65摄氏度(清洗液的温度)进行处理，而当清洗液为硫酸型时，在130摄氏度进行处理。通过使用热王水还原溶液的晶片表面处理进行铂杂质数值的测量和后续的ICP-MS测量；在此情况下，检测极限大约为1×109原子/平方厘米。
可使用重量百分比浓度为1到25％的盐酸。在本发明中，考虑到对其他元件部分的负效应，最好的重量百分比浓度为1到10％。
所使用的过氧化氢的重量百分比浓度最好为0.5到5％。当盐酸的浓度低时，过氧化氢的浓度最好也相应的变低。
通过确定所使用的盐酸的量，从而使其相对于氧化硅膜的蚀刻率为最优，但重量百分比最好为1％或更低。当蚀刻除氧化硅膜以外的硅-基绝缘膜时，诸如氮化硅膜或氮氧化硅膜，其量可比其大。最好通过确定盐酸的量从而使蚀刻率变为1到5nm/min。
与传统的包含过氧化氢的清洗液相类似，本发明的清洗液没有足够的寿命。因此，在使用清洗液之前，需要将过氧化氢与当前的其他的成分相混合。
当盐酸被用在清洗液中时，在室温(25摄氏度)下进行清洗液的清洗操作，最好在50到70摄氏度的温度下。根据盐酸和过氧化氢的量和所使用的清洗液的温度，可适当的调整清洗时间。当清洗时间过长时，会发生由于盐酸超过所允许的极限从而使氧化膜太薄的问题。当清洗时间过短时，无法获得满意的结果。清洗时间通常为1到15分钟，最好为5到10分钟。
在本发明中，在形成铂族金属层之前，通过在基片的背面上形成一薄的氧化膜，可容易的去除掉基片背面上的杂质。由于硅比氧化硅更容易的吸收由铂族金属引入的杂质，上述的在基片的背面上形成薄的氧化膜的方法是很有效的。通过公知的诸如热氧化或化学气相沉积(CVD)方法可形成薄氧化膜，膜的厚度可大约为10到100nm。
在本发明中，通过将包含元件的整个基片浸入到清洗溶液中进行清洗操作；或在基片上形成元件部分之后，通过仅将基片的背面与清洗溶液接触进行。同样也可通过公知的诸如喷洒或用流动的水清洗等方法进行清洗操作。
下面将参考具体的实例对本发明进行描述。然而，本发明并不限于这些实例。
图2(a)到图2(g)为用于生产半导体存储器件的各个步骤的截面示意图，其中的半导体存储器件包含MOS晶体管和电容器部分，电容部分包含铂族金属电极和铁电膜，并可通过电荷积累进行数据存储。
首先，如图2(a)中所示，通过公知的方法在硅基片1上形成MOS型晶体管。即，通过公知的诸如LOCOS方法形成作为元件隔离区的长氧化物2；接着，通过热氧化方法，形成厚度为50到100nm的作为栅绝缘膜的氧化硅膜。然后，顺序形成磷-搀杂多晶硅膜和WSi膜；此后对它们进行加工图形以形成栅电极4。此后，进行离子注入以形成杂质扩散层5，由此完成MOSFET的加工过程。
下面如图2(b)中所示，通过CVD形成作为第一中间绝缘膜6的BPSG膜；然后，进行蚀刻以形成接孔；在接孔中顺序形成Ti膜和W膜以形成竖直互连7。
接着，如图2(c)中所示，形成作为电容部分下部电极层8的铂薄膜；然后，通过溅射，形成铁电膜9(例如PZT)和作为电容部分上部电极层10的铂或铱薄膜。此时，由铂所引入的杂质黏附在基片的背面上。由于在晶片的主表面上具有铂膜，从而不必将整个晶片浸入清洗液中，而只需对基片的背面进行清洗。
下面，如图2(d)中所示，通过CVD顺序形成由氧化硅膜构成的掩膜层11，从而在当形成其他的元件部分时以保护上面形成的电容部分。此时，由铂所引入的杂质13黏附在掩膜层11和基片1的背面。假设杂质13是在通过CVD形成氧化硅膜过程中由从晶片表面上的薄铂膜游离的铂离子黏附形成，或者是由于在前面的步骤中未对背面进行清洗，而由黏附在晶片背面上的杂质扩散而形成。关于由铂引入的杂质黏附在氧化硅膜的背面不是发生在铂薄膜的步骤或蚀刻铂薄膜的步骤的事实是本发明人新近发现的。如果在不去除在此步骤形成的由铂引入的杂质的情况下进行下一步骤，杂质扩散进晶片或被转移到其他的晶片中，由此会大大的影响元件的性能。
因此。在本发明中将被铂污染的基片浸入到清洗液中并进行清洗操作。清洗液的成分和在清洗操作中所应用的条件如下。清洗溶液的成分盐酸 5％重量百分比过氧化氢 4％重量百分比氢氟酸 0.1％重量百分比螯合剂(乙二酸) 1000ppm水 余量清洗条件溶液温度 65摄氏度浸入时间 10分钟通过在上述的条件下进行清洗操作，可可靠的去除杂质。
接着，形成未示出的其他的元件。在掩膜层11上形成光刻胶图形；使用此光刻胶图形作为掩膜，对掩膜层11、电容上部电极层10、铁电膜9和电容下部电极层8进行干蚀，以形成所需的电容部分14，并去除残留在电容部分14上的掩膜层(参见图2(e))。此时，可能会黏附有蚀刻残留物，但通过所公知的方法或使用本发明的清洗溶液可将其去除掉。
下面，如图2(f)中所示，形成第二内层绝缘膜15，从而覆盖住电容部分14和第一内层绝缘膜6。同样，在此时，从电容部分的铂族金属层会游离出金属离子，杂质会黏附在第二内层绝缘膜上和基片的背面上。通过进行与上述的相同的清洗步骤可清除掉这些杂质。
接着，在第二内层绝缘膜15中形成一个开孔16，用于如图2(g)中所示将上层布线(将在后面形成)与电容上部电极层10相连。此时，可轻微的腐蚀所暴露出的上部电极层10，并可能会出现杂质。在此情况下，由于上部电极被露出，通过喷洒、流动水将只清洗基片的背面。另外，还可进行另外一个步骤，即将基片浸入到不会对上部电极造成腐蚀的清洗液中，以去除蚀刻的残留物。
最后，形成金属膜，从而填充开孔16，并进而覆盖在步骤2(g)所获得的材料的整个的表面；将金属膜加工成所需的图形，形成上层布线17；在其上形成第三内层绝缘膜18(例如氮化硅膜)，由此形成具有包含铂电极的铁电电容器的半导体存储器件，如图3中的截面图所示。在形成上层布线17后，清洗基片的背面，并形成第三内层绝缘膜，此后通过浸入的方式清洗晶片。
权利要求
1.一种用于从硅基片开始生产半导体器件的工艺，该半导体器件具有一个电容器部分，该部分包含铂族金属电极和铁电膜，该工艺包含一个清洁步骤，用于通过使用清洁溶液清洁和去除粘附在(1)与铂族金属电极接触形成的硅-基绝缘膜上和(2)硅基片的背面上的由铂族金属引入的杂质，所述清洁溶液包含用于清除金属的化学溶液和非常少量的氢氟酸及螯合剂。
2.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于在形成电容部分之后进行清洗步骤，其中电容部分包含铂族金属下部电极层、铁电膜和铂族金属上部层，接着形成硅基绝缘膜，其在形成除电容部分以外的元件部分时充当用于电容部分的保护层的作用。
3.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于清洗步骤是在形成覆盖电容部分的硅基内层绝缘膜之后进行的。
4.根据权利要求3所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于清洗步骤是在于硅基内层绝缘膜中形成接孔之后进行的，其中的接孔用于形成与电容部分相连的布线电极。
5.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于用于去除金属的化学溶液包含盐酸和过氧化氢。
6.根据权利要求5所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于用于去除金属的化学溶液中的盐酸的重量百分比浓度为1到10％。
7.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于用于去除金属的化学溶液包含硫酸和过氧化氢。
8.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于清洗溶液被用在从室温到低于清洗溶液的沸点的温度范围之内。
9.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于螯合剂为二元羧酸。
10.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于在形成铂族金属层之前，在硅基片的背面形成薄的氧化膜层。
11.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于只允许基片的背面与清洗溶液进行接触。
全文摘要
一种用于从硅基片开始生产半导体器件的工艺,该半导体器件具有一个电容器部分,该部分包含铂族金属电极和铁电膜,该工艺包含一个清洁步骤,用于通过使用清洁溶液清洁和去除粘附在(1)与铂族金属电极接触形成的硅－基绝缘膜上和(2)硅基片的背面上的由铂族金属引入的杂质,所述清洁溶液包含用于清除金属的化学溶液和非常少量的氢氟酸及螯合剂。此工艺可有效的去除掉由铂族金属引入的杂质并可防止已经被去除杂质的再次黏附。
文档编号H01L21/304GK1262523SQ00100658
公开日2000年8月9日 申请日期2000年1月26日 优先权日1999年1月28日
发明者渡边香织 申请人:日本电气株式会社