技术编号:6846398
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件例如DRAM(动态随机存取存储器)以及其制造方法。更具体地说本发明涉及一个半导体器件以及其制造方法,在其中防止出现由于在依靠切克劳斯基(Cz)方法获得的硅基片表面存在的凹陷缺点造成的元件隔离耐电压的降低。附图说明图1是一个传统的动态随机存取存储器的结构的平面图,图2是沿着图1的B-B线观看的一个截面视图,图3是沿着图1的C-C线观看的一个截面的视图。这些图显示了一个高集成的动态随机存取存储器储存单元的一个状态,在其中为字线的栅电极已...
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