技术编号:6846483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及到绝缘体上硅锗(Si1-xGex,为简单起见而称为SiGe)(SGOI)结构,更确切地说是涉及到具有薄而高弛豫SiGe层以及低堆垛层错缺陷密度的SGOI结构的改进了的制作方法。背景技术 在应变硅互补金属氧化物半导体(CMOS)应用中,淀积在弛豫的硅锗上的硅被张应变,并被用作N型场效应晶体管(NFET)和P型场效应晶体管(PFET)的沟道材料。在0.6%的应变下,这些NFET具有显著的迁移率提高;但为了得到PFET迁移率的显著提高,则需要1.2...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。