技术编号:6846821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请本申请要求2004年1月9日提交的日本专利申请No.2004-004509的优先权,其内容并入本申请作为参考。背景技术本发明涉及一种用于半导体器件和其制造方法的技术。更具体地,本发明涉及一种能对半导体衬底(substrate)上设置的介电膜的蚀刻进行更好控制的技术。日本未审查专利公开No.2001-332510(专利文献1)公开了一种技术,通过减少对半导体衬底的过度蚀刻,即使是在高长宽比的接触孔处,减少对半导体衬底的损害和腐蚀。通过干蚀刻在半导体衬...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。