技术编号：6847395
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置，特别是涉及实现肖特基势垒二极管正向电压VF的降低且反向电流IR的降低并确保规定耐压的半导体装置。背景技术 利用硅半导体衬底和金属层形成的肖特基结通过其势垒具有整流作用，故通常作为肖特基势垒二极管是优良的元件。图4表示现有肖特基势垒二极管。如图4(A)，在n+型半导体衬底31上层积n-型半导体层32，设置与其表面形成肖特基结的肖特基金属层36。该金属层是例如Ti。另外，覆盖金属层整个面设置作为阳极电极37的Al层。为确保耐压而在半导体衬...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。