技术编号:6847578
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT),特别是涉及一种具有轻掺杂漏极(LDD)结构的TFT。背景技术 一般地,TFT包括半导体层、栅极和源/漏极。半导体层包括源/漏极区域和置于源/漏极区域之间的沟道区,且其可以由多晶硅或非晶硅形成。通常使用多晶硅,因为其比非晶硅具有更高的电子迁移率。不过,多晶硅TFT有着比非晶硅TFT更高的关态泄漏电流(off current)。在多晶硅TFT的源/漏极区域和沟道区之间形成LDD区域可以减小其关态泄漏电流,因为LDD区域可以防...
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