技术编号：6847714
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体装置。更特别地，本发明是关于在内存装置中制造沟渠电容器的方法，以及关于在内存中沟渠电容器的结构。背景技术 半导体产业需要将个别装置，例如晶体管与电容器，微小化以增加半导体产品所需的电路密度。一共同半导体产品为动态随机存取内存(DRAM)，其可包含上亿个个别DRAM内存单元(胞元)，各可储存一数据位。一DRAM胞元包含一平面存取晶体管以及一储存电容器。所述存取晶体管转换电荷至储存电容器或是自储存电容器转换电荷，以读取或是存写数据。在所述电容...
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