技术编号:6848069
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属微电子材料领域,特别涉及。背景技术 ABO3钙态矿结构的铁电薄膜如PbxZr1-xTiO3(PZT)、BaxSr1-xTiO3(BST)、等,具有铁电、压电、热释电、电光、声光及非线性光学等性质,在微电子、光电子、集成光学和微机电等领域有着重要地应用。近年来受到了极大的关注。在把铁电薄膜集成到器件上,薄膜的底电极材料的选择是十分关键的。电极的质量好坏极大地影响着集成铁电器件的性能。一个好的电极应满足三个条件(1)、与铁电材料结构匹配;(2)、良好的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。