技术编号:6848312
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)的方法,特别涉及一种减小STI中边沟(divot)深度的方法。背景技术 随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域随之也要进行相应的缩小。传统使用的硅的区域氧化(Localized Oxidation of Silicon;LOCOS)技术由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应限制了这一技术的进一步应用。浅沟槽隔离...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。