技术编号:6848328
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种用于电子器件制造的场效应晶体管的制备方法,具体地说,是一种。背景技术 目前制作碳纳米管场效应晶体管的制备方法主要有如下几种1.将纯化后的碳纳米管直接超声分散有机溶剂中形成混合液,将碳纳米管混合液旋涂于预先刻有源漏电极图案的硅片上,这种方法使碳纳米管在硅片上任意分布,无法控制其取向性;2.采用CVD的方法在硅片表面生长碳纳米管使之于源漏极相连,但该方法虽能通过催化剂控制碳纳米管生长的位置,但碳纳米管生长方向随机性很大,重复性和电接触性能很难...
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