专利名称：碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法
技术领域：
本发明涉及的是一种用于电子器件制造技术领域的场效应晶体管的制备方法，具体地说，是一种碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法。
背景技术：
目前制作碳纳米管场效应晶体管的制备方法主要有如下几种1.将纯化后的碳纳米管直接超声分散有机溶剂中形成混合液，将碳纳米管混合液旋涂于预先刻有源漏电极图案的硅片上，这种方法使碳纳米管在硅片上任意分布，无法控制其取向性；2.采用CVD的方法在硅片表面生长碳纳米管使之于源漏极相连，但该方法虽能通过催化剂控制碳纳米管生长的位置，但碳纳米管生长方向随机性很大，重复性和电接触性能很难控制；3.采用显微物理操纵的方法将碳纳米管移动连接到电极上，如AFM探针拨动的方法，该方法虽能精确地控制碳纳米管，但操作难度很大，效率低；4.先将碳纳米管旋涂在未刻有源漏电极图案的硅片上，然后选择适合的碳纳米管，在其上采用光刻技术制作出源漏电极图案，但该方法存在碳纳米管任意分布，光刻时定位、套刻困难等不足，其制作效率不高；5.采用外加辅助电场等，使超声悬浮在有机溶剂中的碳纳米管取向连接到源漏电极之间，但是由于碳纳米管之间的吸附作用，该方法在电极部位连接的碳纳米管往往比较混乱的吸附在一起，碳纳米管任意缠绕问题很大，重复性和电学性能很差，使得利用交变电场辅助制作碳纳米管场效应管的工作局限于将单根的碳纳米管或碳纳米管束连接到两相对的电极上。
经对现有技术文献的检索发现，中国专利公开号CN1490856A，
公开日为2004年4月21日，发明名称为一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，该专利公开了一种采用阵列碳纳米管薄膜制作晶体管的方法。该方法使用金属酞菁在SiO2/高掺杂硅基片上生长一层阵列碳纳米管薄膜，然后在膜上用真空蒸镀的方法淀积金电极作为源、漏电极，制成具有场效应性能的晶体管。其不足之处是该方法制得的阵列碳纳米管薄膜中碳纳米管堆积在一起，不能有效地均匀分散，这将使碳纳米管与源漏电极不能形成良好的欧姆接触，碳纳米管之间存在偶合效应，影响晶体管的性能。而且，该方法制作阵列碳纳米管薄膜晶体管时使用的源漏电极尺寸很大，间距为0.1-0.5毫米，宽度为50-66毫米，而集成电路中晶体管的尺寸远小于此，因此该方法不适合用于集成电路中场效应晶体管的制作。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，使其控制稳定分散的碳纳米管，多条碳纳米管相互分开地连接于器件电极结构之间，从而构成场效应晶体管的沟道或者作为纳米电极引线。
本发明是通过以下技术方案实现的，本发明具体步骤如下1)将碳纳米管进行表面活化处理。
2)对碳纳米管进行表面功能分子化学修饰或DNA(脱氧核糖核酸)修饰后，使其表面修饰十八烷基胺有机分子或DNA(脱氧核糖核酸)分子，制成稳定分散的碳纳米管悬浮液。
3)在表面含有绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出电极对图案，将该电极对中相对的两电极作为场效应晶体管器件的源漏电极。
4)将碳纳米管悬浮液滴在经步骤3预制成的电极对表面形成均匀分布的液体层，使多条碳纳米管置于场效应晶体管器件的源漏电极之间。
5)施加直流或者交变电场操纵多条碳纳米管，使其相互分开和平行地并联于上述两种电极之间。
6)用紫外线对步骤5中制得的场效应晶体管器件进行辐射处理，使碳纳米管与金属电极间形成良好的欧姆接触，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。
所述的表面活化处理是指将碳纳米管在浓硫酸(浓度为98％)与浓硝酸(浓度为68％)3∶1配比制成的混酸中100-140℃下回流30分钟。在碳纳米管表面产生具有活性的羧基，方便碳纳米管表面嫁接十八烷基胺或DNA分子。
所述的表面功能分子化学修饰是指，将表面活化处理后的碳纳米管与十八烷基胺、N，N’-二环己基碳二亚胺(DCC)以1∶100∶30(质量比)的比例进行反应，反应温度为60℃-110℃，反应时间为24h。使碳纳米管表面嫁接上十八烷基胺，清洗碳纳米管以去除未参加反应的十八烷基胺，将其置于氯仿或甲苯中，并在频率为30KHz的超声波下分散2分钟，碳纳米管可均匀溶解于氯仿或甲苯中，形成稳定分散的碳纳米管悬浮液。
所述的DNA修饰是指，将表面活化处理后的碳纳米管加入分散有DNA的溶液中，在0℃下以3-5瓦特功率的超声波分散70-110分钟，然后将溶液离心去除未反应的碳纳米管和溶液中多余的DNA，得到表面包裹有DNA的碳纳米管悬浮液。
所述的绝缘层或者是以下无机材料中的一种二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氟化钙，或者是以下聚合材料中的一种环氧树脂、聚酰亚胺。
所述的源漏电极之间的间距介于20-20000nm之间，源漏电极相对宽度为1-1000μm。
所述的电极材料是Au、Al、Ti、Ni、W、Cu中的其中一种。电极材料的选择主要考虑其与碳纳米管的接触电阻和导电特性。
所述的步骤3的源漏电极或者是绝缘衬底上的电极对，或者是表面有绝缘层的导电衬底上的电极对。这种器件结构的安排是为了避免源漏电极之间的短路。
所述的直流电场为1-20V/μm。所述的交变电场的频率在10k-10MHz之间，电场为1-20V/μm。如果电压太小，不起作用；电压过大，会导致绝缘层击穿，源漏电极短路。
所述的操纵的沉积时间为5s-5min，温度为0℃-60℃。
所述的步骤4的碳纳米管或者是半导体性碳纳米管，从而使碳纳米管形成场效应晶体管的沟道；所述的步骤4的碳纳米管或者是金属性碳纳米管，从而使碳纳米管成为电路中器件之间的电连接引线。
所述的辐射处理的具体参数为功率10-300W，波长175nm-365nm，时间5分钟。
本发明的工作原理是对碳纳米管进行表面活化处理，这种化学处理可以在碳纳米管表面产生具有活性的羧基，方便碳纳米管表面嫁接十八烷基胺或DNA分子。对碳纳米管进行表面功能分子化学修饰，使其表面修饰十八烷基胺有机分子或DNA(脱氧核糖核酸)分子，这种处理可以分离碳纳米管，避免其相互纠缠，同时也可使碳纳米管均匀分散于有机溶剂或者水中，从而形成稳定存在的悬浮液。由于碳纳米管表面有DNA分子化学修饰，因此碳纳米管可以均匀分散于水中，从而形成稳定存在的悬浮液。当悬浮液滴在预制有电极的硅片表面形成液体层的短时间内，碳纳米管处于自由可动的状态，施加直流或交变电场可以使碳纳米管定向运动形成平行排列的结构，形成分离的导电沟道可以减少电子在碳纳米管中传输时的相互干扰，提高场效应晶体管的电学特性。使用紫外线对碳纳米管进行辐射处理，使碳纳米管表面的烷基链分解去除或DNA分子降解，使得碳纳米管与金属电极间形成良好的欧姆接触。
本发明的有益效果是碳纳米管近乎垂直于电极表面，形成相互分开的平行阵列结构，与金属电极间能形成良好的欧姆接触；制备的碳纳米管场效应晶体管具有良好的开关性能(开关比＞104)；可以制备具有同比条件下单根碳纳米管为沟道制作成的场效应管高得多的跨导值(gm可提高20倍以上)，而且比单根管为沟道的场效应管具有更好的结构稳定性。
图1为多沟道场效应晶体管的扫描电子显微镜照片。
图2为碳纳米管构成的多沟道场效应晶体管的输出特性示意曲线图。
图3为碳纳米管构成的多沟道场效应晶体管的转移特性示意曲线图。
其中插图为源漏电流IDS的对数和VG的关系图。
图4为碳纳米管构成的多沟道场效应晶体管与单根碳纳米管为沟道的场效应晶体管转移特性比较图。其中，a多沟道场效应晶体管；b单根碳纳米管为沟道的场效应晶体管。
具体实施例方式
实施例1本实施例采用交变电场定向排布表面功能分子化学修饰过的碳纳米管来制备多沟道场效应晶体管。首先将碳纳米管进行表面活化处理，将碳纳米管在浓硫酸(浓度为98％)与浓硝酸(浓度为68％)3∶1配比制成的混酸中100℃下回流30分钟。在碳纳米管表面产生具有活性的羧基，方便碳纳米管表面嫁接十八烷基胺或DNA分子。将表面活化处理后的碳纳米管与十八烷基胺、N，N’-二环已基碳二亚胺(DCC)以1∶100∶30(质量比)的比例进行反应，在60℃下反应24小时，使碳纳米管表面嫁接上十八烷基胺；清洗时使用2μm孔径的滤膜进行抽滤，同时用氯仿和酒精反复冲清碳纳米管以去除未参加反应的十八烷基胺，然后干燥。将干燥后的碳纳米管置于氯仿中，并在频率为30KHz的超声波下分散2分钟，形成稳定分散的碳纳米管悬浮液。
在含有500nm厚二氧化硅绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出平行相对的Au电极对图案，其电极间距为1μm，正对的宽度为10μm。在源漏电极之间，加一个频率为5MHz，场强为10V/μm的高频正弦交流电压。将浓度为0.5μg/ml的碳纳米管悬浮液滴在源漏极上，使其在交变电场的作用下定向沉积，沉积时间为40S，沉积温度为25℃。这样使多根平行的碳纳米管平行排列于两电极之间，相互之间有一定的间距。用功率10W，波长175nmnm的紫外线对制得的场效应晶体管器件进行辐射处理5分钟，使碳纳米管表面的烷基链分解，同时碳纳米管与金属电极间也可形成良好的欧姆接触，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。
图1为制备好的多沟道场效应晶体管的扫描电子显微镜照片。可以看到多根平行的碳纳米管并联于电极对之间，相互之间分开一定的间距。图2和3为这种碳纳米管构成的多沟道场效应晶体管的输出特性曲线(图2)和转移特性曲线(图3)。从图2中可看出其IDS和VDS呈线性依赖关系，说明交变电场定向制备的碳纳米管阵列与电极间形成了良好的欧姆接触。随着栅压的增大，源漏电流变小，呈现P型场效应管的特性。从图3可知，随着栅压VG的增大，源漏电流IDS减小，当VG大于-2.5V时沟道电导很小，场效应晶体管被关断。而当VG＝0时，仍有一定的源漏电流通过。当源漏电压VDS变化时，场效应晶体管的阈值电压保持不变。从IDS对数-VDS插图中我们可看出栅压的增加使得电流的降低超过4个数量级，因此构成的场效应管有很好的开关性能。图4为将该结构的场效应管与相同条件下在尖端相对的电极对上构成的单根碳纳米管为沟道的场效应晶体管的转移特性进行比较。可以看出当VDS＝0.8V时，多沟道场效应晶体管的最大跨导值为0.185μs，而单根碳纳米管构成的CNTFET的最大跨导值只为0.0078μs，采用多沟道结构使跨导值增加了24倍左右。由于作为导电沟道的碳纳米管数量增加，不仅增大了场效应晶体管的跨导值，而且还提高了其结构稳定性。对交变电场制备的单根管为沟道的场效应晶体管和多沟道场效应晶体管各10个样品分别进行测定，发现单根管为沟道的场效应晶体管在空气中平均只能保持1个月左右的稳定性能，而多沟道场效应晶体管在空气中放置数个月仍然保持良好的性能。
实施例2本实施例采用交变电场定向排布表面功能分子化学修饰过的碳纳米管来制备多沟道场效应晶体管。首先将碳纳米管进行表面活化处理，将碳纳米管在浓硫酸(浓度为98％)与浓硝酸(浓度为68％)3∶1配比制成的混酸中140℃下回流30分钟。在碳纳米管表面产生具有活性的羧基，方便碳纳米管表面嫁接十八烷基胺或DNA分子。将表面活化处理后的碳纳米管与十八烷基胺、N，N’-二环已基碳二亚胺(DCC)以1∶100∶30(质量比)的比例进行反应，在110℃下反应24小时，使碳纳米管表面嫁接上十八烷基胺；采用2μm孔径的滤膜进行抽滤，并用氯仿、酒精清洗碳纳米管以去除未参加反应的十八烷基胺，将干燥后的碳纳米管置于甲苯中，并在频率为30KHz的超声波下分散2分钟，形成稳定分散的碳纳米管悬浮液。
在含有500nm厚氧化铝绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出平行相对的Al电极对图案，其电极间距为20nm，正对的宽度为1μm。在源漏电极之间，加一个频率为10KHz，场强为20V/μm的高频正弦交流电压。将浓度为0.5μg/ml的碳纳米管悬浮液滴在源漏极上，使其在交变电场的作用下定向沉积，沉积时间为5s，沉积温度为60℃。这样多根平行的碳纳米管平行排列于两电极之间，相互之间有一定的间距。用功率300W，波长365nm的紫外线对制得的场效应晶体管器件进行辐射处理5分钟，使碳纳米管表面的烷基链分解，同时碳纳米管与金属电极间也可形成良好的欧姆接触，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。制得的多沟道场效应晶体管的电学性能与实施例1中得到的多沟道场效应晶体管的相似。
实施例3本实施例采用交变电场定向排布表面功能分子化学修饰过的碳纳米管来制备多沟道场效应晶体管。首先将碳纳米管进行表面活化处理，将碳纳米管在浓硫酸(浓度为98％)与浓硝酸(浓度为68％)3∶1配比制成的混酸中120℃下回流30分钟。在碳纳米管表面产生具有活性的羧基，方便碳纳米管表面嫁接十八烷基胺或DNA分子。将表面活化处理后的碳纳米管与十八烷基胺、N，N’-二环已基碳二亚胺(DCC)以1∶100∶30(质量比)的比例进行反应，在90℃下反应24小时，使碳纳米管表面嫁接上十八烷基胺；采用2μm孔径的滤膜进行抽滤，并用氯仿、酒精清洗碳纳米管以去除未参加反应的十八烷基胺，将干燥后的碳纳米管置于氯仿中，并在频率为30KHz的超声波下分散2分钟，形成稳定分散的碳纳米管悬浮液。
在含有500nm厚氮化硅二氧化硅绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出平行相对的Ni电极对图案，其电极间距为20μm，正对的宽度为1000μm。在源漏电极之间，加一个频率为10MHz，场强为1V/μm的高频正弦交流电压。将浓度为0.5μg/ml的碳纳米管悬浮液滴在源漏极上，使其在交变电场的作用下定向沉积，沉积时间为5min，沉积温度为0℃。这样多根平行的碳纳米管平行排列于两电极之间，相互之间有一定的间距。用功率200W，波长200nm的紫外线对制得的场效应晶体管器件进行辐射处理5分钟，使碳纳米管表面的烷基链分解，同时碳纳米管与金属电极间也可形成良好的欧姆接触，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。制得的多沟道场效应晶体管的电学性能与实施例1中得到的多沟道场效应晶体管的相似。
实施例4本实施例采用交变电场定向排布经DNA(脱氧核糖核酸)修饰过的碳纳米管来制备多沟道场效应晶体管。首先用DNA修饰碳纳米管，修饰的具体方法为将1mg/ml的长度为50based的单链DNA，0.1M NaCl和0.05M的磷酸钠混合，超声制成DNA的PH值缓冲水溶液，将5mg的纯化过的碳纳米管与5ml的该DNA水溶液混合，在0℃、5W的功率下超声70min；超声后，将样品在14000g的离心力下离心分离1h，去除多余未反应的DNA，得到表面包裹有DNA的稳定分散的碳纳米管溶液。
在含有500nm厚氟化钙绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出平行相对的Cu电极对图案，其电极间距为1μm，正对的宽度为10μm。在源漏电极之间，加一个频率为5MHz，场强为10V/μm的高频正弦交流电压。将浓度为0.5μg/ml的碳纳米管悬浮液滴在源漏极上，使其在交变电场的作用下定向沉积，沉积时间为40S，沉积温度为25℃。这样多根碳纳米管就平行排列于两电极之间，相互之间有一定的间距。最后用功率200W，波长200nm的紫外线对制得的场效应晶体管器件进行辐射处理5分钟，使碳纳米管与金属电极间形成良好的欧姆接触，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。制得的多沟道场效应晶体管的电学性能与实施例1中得到的多沟道场效应晶体管的相似。
实施例5本实施例采用交变电场定向排布经DNA(脱氧核糖核酸)修饰过的碳纳米管来制备多沟道场效应晶体管。首先用DNA修饰碳纳米管，修饰的具体方法为将1mg/ml的长度为50based的单链DNA，0.1M NaCl和0.05M的磷酸钠混合，超声制成DNA的PH值缓冲水溶液，将5mg的纯化过的碳纳米管与5ml的该DNA水溶液混合，在0℃、3W的功率下超声110min；超声后，将样品在14000g的离心力下离心分离1h，去除多余未反应的DNA，得到表面包裹有DNA的稳定分散的碳纳米管溶液。
在含有500nm厚环氧树脂绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出平行相对的Ti电极对图案，其电极间距为20nm，正对的宽度为1μm。在源漏电极之间，加一个场强为20V/μm的直流电压。将浓度为0.5μg/ml的碳纳米管悬浮液滴在源漏极上，使其在交变电场的作用下定向沉积，沉积时间为5S，沉积温度为60℃。这样多根碳纳米管就平行排列于两电极之间，相互之间有一定的间距。最后用功率200W，波长200nm的紫外线对制得的场效应晶体管器件进行辐射处理5分钟，使碳纳米管与金属电极间形成良好的欧姆接触，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。制得的多沟道场效应晶体管的电学性能与实施例1中得到的多沟道场效应晶体管的相似。
实施例6本实施例采用交变电场定向排布经DNA(脱氧核糖核酸)修饰过的碳纳米管来制备多沟道场效应晶体管。首先用DNA修饰碳纳米管，修饰的具体方法为将1mg/ml的长度为50based的单链DNA，0.1M NaCl和0.05M的磷酸钠混合，超声制成DNA的PH值缓冲水溶液，将5mg的纯化过的碳纳米管与5ml的该DNA水溶液混合，在0℃、4W的功率下超声90h；超声后，将样品在14000g的离心力下离心分离1h，去除多余未反应的DNA，得到表面包裹有DNA的稳定分散的碳纳米管溶液。
在含有500nm厚聚酰亚胺绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出平行相对的W电极对图案，其电极间距为20μm，正对的宽度为1000μm。在源漏电极之间，加一个场强为1V/μm的直流电压。将浓度为0.5μg/ml的碳纳米管悬浮液滴在源漏极上，使其在交变电场的作用下定向沉积，沉积时间为5min，沉积温度为0℃。这样多根碳纳米管就平行排列于两电极之间，这样多根碳纳米管就平行排列于两电极之间的结构，相互之间有一定的间距。最后用功率200W，波长200nm的紫外线对制得的场效应晶体管器件进行辐射处理5分钟，使碳纳米管与金属电极间也可形成良好的欧姆接触，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。制得的多沟道场效应晶体管的电学性能与实施例1中得到的多沟道场效应晶体管的相似。
权利要求
1.一种碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征在于，具体步骤如下1)将碳纳米管进行表面活化处理；2)对碳纳米管进行表面功能分子化学修饰或DNA修饰后，使其表面修饰十八烷基胺有机分子或DNA分子，制成稳定分散的碳纳米管悬浮液；3)在表面含有绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出电极对图案，将该电极对中相对的两电极作为场效应晶体管器件的源漏电极；4)将碳纳米管悬浮液滴在经步骤3预制成的电极对表面形成均匀分布的液体层，使多条碳纳米管置于场效应晶体管器件的源漏电极之间；5)施加直流或者交变电场操纵多条碳纳米管，使其相互分开和平行地并联于上述两种电极之间；6)用紫外线对步骤5中制得的场效应晶体管器件进行辐射处理，使碳纳米管与金属电极间也可形成良好的欧姆接触，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的表面活化处理是指将碳纳米管在98％硫酸与68％浓硝酸3∶1配比制成的混酸中100-140℃下回流30分钟，在碳纳米管表面产生具有活性的羧基，方便碳纳米管表面嫁接十八烷基胺或DNA分子。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的表面功能分子化学修饰是指将表面活化处理后的碳纳米管与十八烷基胺、N，N’-二环己基碳二亚胺以质量比1∶100∶30的比例进行反应，反应温度为60℃-110℃，反应时间为24h，使碳纳米管表面嫁接上十八烷基胺，清洗碳纳米管以去除未参加反应的十八烷基胺，将其置于氯仿或甲苯中，并在频率为30KHz的超声波下分散2分钟，碳纳米管均匀溶解于氯仿或甲苯中，形成稳定分散的碳纳米管悬浮液。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的DNA修饰是指，将表面活化处理后的碳纳米管加入分散有DNA的溶液中，在0℃下以3-5瓦特功率的超声波分散70-110分钟，然后将溶液离心去除未反应的碳纳米管和溶液中多余的DNA，得到表面包裹有DNA的碳纳米管悬浮液。
5.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的绝缘层是指以下无机材料中的一种二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氟化钙，或者是以下聚合材料中的一种环氧树脂、聚酰亚胺。
6.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的源漏电极是绝缘衬底上的电极对，或者是表面有绝缘层的导电衬底上的电极对，源漏电极之间的间距介于20-20000nm之间，源漏电极相对宽度为1-1000μm。
7.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的电极材料是Au、Al、Ti、Ni、W、Cu中的一种。
8.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的直流电场为1-20V/μm。
9.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的交变电场的频率在10k-10MHz之间，电场为1V/μm-20V/μm。
10.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的操纵的沉积时间为5s-5min，温度为0℃-60℃。
11.根据权利要求1所述的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，其特征是，所述的辐射处理的具体参数为功率10-300W，波长175nm-365nm，时间5分钟。
全文摘要
一种用于电子器件制造技术领域的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法，具体步骤如下将碳纳米管进行表面活化处理，对碳纳米管进行表面功能分子化学修饰或DNA修饰以制成稳定分散的碳纳米管悬浮液，在表面含有绝缘层的硅片上采用光刻技术制作出电极对图案，将碳纳米管悬浮液滴在经步骤3预制成的电极对表面形成均匀分布的液体层，施加直流或者交变电场操纵多条碳纳米管，使其相互分开和平行地并联于上述两种电极之间，用紫外线对步骤5中制得的场效应晶体管器件进行辐射处理，得到具有良好性能的多沟道场效应晶体管。本发明操控多条碳纳米管相互分开地并联于器件电极结构之间，从而构成场效应晶体管的沟道或者作为纳米电极引线。
文档编号H01L21/02GK1697146SQ20051002442
公开日2005年11月16日 申请日期2005年3月17日 优先权日2005年3月17日
发明者张亚非, 陈长鑫, 刘丽月 申请人:上海交通大学