技术编号：6849382
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料的生长，具体而言是关于选择性外延锗硅薄膜的制备方法。背景技术 锗硅薄膜由于锗的加入而有许多不同于硅的特性。但是锗硅之间的晶格失配达4.2％，薄膜与硅衬底之间存在应变，高温下锗硅薄膜会应变驰豫，产生失配位错影响材料质量。传统的锗硅器件的制作，首先在硅衬底或缓冲层上直接生长锗硅薄膜，然后在锗硅薄膜上生长二氧化硅绝缘层。为避免锗硅驰豫，只有采用低温二氧化硅沉积的方法，这给随后的器件隔离及集成工艺带来较大限制。而且锗硅薄膜与二氧化硅接触面积大，...
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