技术编号:6849913
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术 近年来,半导体器件要求轻、薄、小尺寸和高性能。在例如多芯片封装等的半导体器件中,强烈推进实现高密度互连、逻辑片的小型化和存储器容量的增加。关于应对于解决该提议的一种方法,试图基于在半导体衬底上提供贯通电极(through electrode),来达到实现高密度互连等。日本未决专利公开No.2000-311982中描述了有关常规的贯通电极。日本未决专利公开No.2000-311982公开了一种具有贯通电极的半导体器件。贯通电极的结构...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。