技术编号:6850222
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及带有内嵌单片温度传感器的集成电路器件,制造该器件的方法,以及形成钒氧化物膜的方法,特别涉及使用钒氧化物电阻膜来作为温度传感器的集成电路器件,制造该器件的方法,以及形成钒氧化物膜的方法。背景技术 最近,越来越需要对集成电路器件的工作温度进行监控。监控工作温度的目的是防止集成电路器件中的元件发生热击穿,并且稳定其特性具有温度依赖性的元件的工作。例如,在这一方面,例如,日本专利未决公开第H1-302849中公开了一种在与LSI(大规模集成电路)的温度传...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。