技术编号:6850591
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有多晶硅熔丝的、能够通过提供编程电流进行编程的半导体集成电路和形成其的方法。本发明还涉及调节半导体集成电路的电路参数的方法。背景技术 为了调节半导体集成电路中的电阻或者其他参数,使用了诸如齐纳击穿(zaner-zap)型反熔丝或者多晶硅熔丝的器件。多晶硅熔丝由电阻器图形形成,其由多晶硅膜形成。利用通过提供在该电阻器图形两端处的电极向该电阻器图形提供过量电流或者编程电流而产生的热量,该熔丝被熔断或被编程。传统上,需要高电压和高电流来熔断熔丝。因此...
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