技术编号:6850604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种隧道磁阻器件。背景技术 目前已有种类繁多的利用磁阻效应的电子器件。MRAMs(磁阻随机存储器)、磁头以及磁性传感器居于此列电子器件之首。由叠片磁性薄膜之间的磁交换耦合作用、利用GMR(巨磁阻)效应的电子器件也已投入商业大批量生产。同时因为TMR(隧道磁阻)器件的MR率(磁阻变化率)远大于GMR器件,所以预计TMR器件可提供高灵敏度、高精度的电子器件。例如,日本专利No.3331397公开的TMR器件具有如下结构,其包括在基底上形成的一个下端电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。